[发明专利]铝化合物、通过使用其形成薄膜的方法、和制造集成电路器件的方法

权利要求书

1.由化学式(I)表示的铝化合物：

化学式(I)

其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、和R⁸各自独立地为氢原子、卤素原子、C₁-C₇取代或未取代的烷基、C₂-C₇取代或未取代的烯基、C₂-C₇取代或未取代的炔基、或C₄-C₂₀取代或未取代的芳族、杂芳族或脂环族烃基。

2.根据权利要求1的铝化合物，其中所述铝化合物具有350℃-550℃的热分解温度。

3.根据权利要求1的铝化合物，其中

R¹和R⁵各自独立地为C₁-C₇烷基，和

R²、R³、R⁴、R⁶、R⁷、和R⁸各自独立地为氢原子或C₁-C₇烷基。

4.根据权利要求1的铝化合物，其中所述铝化合物由化学式(II)表示：

化学式(II)

其中R¹和R⁵各自独立地为C₁-C₇烷基。

5.根据权利要求1的铝化合物，其中所述铝化合物由化学式(1)表示：

化学式(1)

6.形成薄膜的方法，所述方法包括：

使用根据权利要求1-5中任一项的铝化合物在基底上形成含铝膜。

7.根据权利要求6的方法，其中所述形成在300℃-600℃的温度下形成所述含铝膜。

8.根据权利要求6的方法，其中所述形成通过将所述铝化合物和反应性气体同时或顺序地供应到所述基底上而形成所述含铝膜。

9.根据权利要求8的方法，其中所述形成供应包括如下之一的所述反应性气体：NH₃、单烷基胺、二烷基胺、三烷基胺、有机胺化合物、肼化合物、及其组合。

10.根据权利要求8的方法，其中所述形成供应包括如下之一的所述反应性气体：O₂、O₃、等离子体O₂、H₂O、NO₂、NO、N₂O、CO₂、H₂O₂、HCOOH、CH₃COOH、(CH₃CO)₂O、及其组合。

11.根据权利要求6的方法，其中所述形成进一步包括：

使包括所述铝化合物的源气体气化；

通过将气化的源气体供应到所述基底上而在所述基底上形成Al源吸附层；和

将反应性气体供应到所述Al源吸附层上。

12.根据权利要求6的方法，其中所述形成形成包括如下的含铝膜：氧化铝膜、氮化铝膜、含碳铝合金膜、或含氮铝合金膜。

13.制造集成电路器件的方法，所述方法包括：

在基底上形成下部结构；和

使用根据权利要求1-5中任一项的铝化合物在300℃-600℃的温度下在所述下部结构上形成含铝膜。

14.根据权利要求13的方法，其中所述形成含铝膜在所述下部结构上形成氧化铝膜、氮化铝膜、含碳铝合金膜、或含氮铝合金膜。