[发明专利]一种OLED显示基板及制备方法、显示面板及显示装置在审
申请号: | 201710386907.X | 申请日: | 2017-05-26 |
公开(公告)号: | CN107104130A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 尤娟娟;孙力 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 制备 方法 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示基板及制备方法、显示面板及显示装置。
背景技术
AMOLED(Active Matrix Organic Light-Emitting Display,主动式或有源式有机电致发光显示)由于其较好的显示画质在消费电子类产品市场上迅速扩张,随着用户对显示画质要求的不断提高,OLED显示基板的分辨率也越来越高,同时也带来了新的问题。例如,对于OLED显示基板中每个OLED器件均发出白光,再与彩膜基板相对合,以进行彩色显示的发光模式,由于每个OLED器件均为电致发白光的器件,对应于各像素的白光OLED器件中的发光功能层是设在像素限定层上的整层结构。而对于OLED显示基板中OLED器件均发出红/绿/蓝或其他颜色的彩色发光模式,为了简化OLED器件的制备工艺,对应于各像素的OLED器件中的发光功能层中的部分结构层也是相互连接在一起的。
这样一来,当OLED显示基板显示某特性像素的时候,由于各OLED器件的发光功能层中相互连接在一起的结构层存在沿着层方向的横向导电问题,导致该像素进行显示时,其周边一个或者多个像素也会同时点亮,从而出现了像素间串扰(Cross-Talk)的问题。
尤其是当发光功能层中的有机电致发光层(Electro Luminescent,EL)采用某些p掺杂或者n掺杂的材料时,由于p掺杂或n掺杂材料的横向导电率较高,更容易引起像素间串扰的问题。为了解决上述串扰问题,现有技术尝试通过将p掺杂或n掺杂材料替换为横向导电率较低的材料,但这样会导致发光功能层的材料选择范围大大减少,或者会存在替换的材料影响OLED器件效能的弊端。
发明内容
鉴于此,为解决现有技术的问题,本发明的实施例提供一种OLED显示基板及制备方法、显示面板及显示装置,可提高铺设在像素限定层上的发光功能层的面积、增加其电阻,从而提高了易于发生串扰的发光功能层中的电压降(IR Drop),有效减少了相邻像素间的串扰;同时,提高了对发光功能层的材料选择范围。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面、本发明实施例提供了一种OLED显示基板,包括基板,划分有多个发光区域;设置在所述基板上的像素限定层,所述像素限定层上设置有与每个发光区域相对应的开孔;所述像素限定层远离所述基板的一面上还设置有凹陷结构和/或凸起结构。
可选的,所述OLED显示基板还包括,设置在所述基板上对应于每个发光区域的第一电极,所述开孔露出所述第一电极的至少部分区域;发光功能层,包括层叠设置的多层结构层;其中,至少有一层所述结构层设置在所述开孔内、所述像素限定层远离所述基板的一面上以及所述凹陷结构内和/或所述凸起结构上。
优选的,所述发光功能层中的各层结构层均设置在所述开孔内、所述像素限定层远离所述基板的一面上以及所述凹陷结构内和/或所述凸起结构上。
优选的,所述发光功能层用于发出白光。
可选的,所述开孔呈阵列排布;在至少一行所述开孔中,相邻两个所述开孔之间均设置有所述凹陷结构和/或所述凸起结构;和/或,在至少一列所述开孔中,相邻两个所述开孔之间均设置有所述凹陷结构和/或所述凸起结构。
可选的,所述凹陷结构沿垂直于所述OLED显示基板方向的截面形状包括,矩形、三角形、正梯形和倒梯形中的至少一种;或者,所述凸起结构沿垂直于所述OLED显示基板方向的截面形状包括,矩形、三角形、正梯形和倒梯形中的至少一种。
优选的,所述OLED显示基板还包括,设置在所述发光功能层上的第二电极。
可选的,所述基板包括,衬底基板和设置在所述衬底基板上的晶体管阵列层。
第二方面、本发明实施例提供了一种OLED显示基板的制备方法,所述制备方法包括,提供一基板,所述基板划分有多个发光区域;在所述基板上形成绝缘材料薄膜;对所述绝缘材料薄膜进行构图工艺处理,形成像素限定层;其中,所述像素限定层上形成有与每个发光区域相对应的开孔,所述像素限定层远离所述基板的一面上还形成有凹陷结构和/或凸起结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的