[发明专利]一种OLED显示基板及制备方法、显示面板及显示装置在审
申请号: | 201710386907.X | 申请日: | 2017-05-26 |
公开(公告)号: | CN107104130A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 尤娟娟;孙力 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 制备 方法 面板 显示装置 | ||
1.一种OLED显示基板,包括基板,划分有多个发光区域;设置在所述基板上的像素限定层,所述像素限定层上设置有与每个发光区域相对应的开孔;其特征在于,所述像素限定层远离所述基板的一面上还设置有凹陷结构和/或凸起结构。
2.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述OLED显示基板还包括,
设置在所述基板上对应于每个发光区域的第一电极,所述开孔露出所述第一电极的至少部分区域;
发光功能层,包括层叠设置的多层结构层;其中,至少有一层所述结构层设置在所述开孔内、所述像素限定层远离所述基板的一面上以及所述凹陷结构内和/或所述凸起结构上。
3.根据权利要求2所述的OLED显示基板,其特征在于,所述发光功能层中的各层结构层均设置在所述开孔内、所述像素限定层远离所述基板的一面上以及所述凹陷结构内和/或所述凸起结构上。
4.根据权利要求3所述的OLED显示基板,其特征在于,所述发光功能层用于发出白光。
5.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述开孔呈阵列排布;
在至少一行所述开孔中,相邻两个所述开孔之间均设置有所述凹陷结构和/或所述凸起结构;
和/或,
在至少一列所述开孔中,相邻两个所述开孔之间均设置有所述凹陷结构和/或所述凸起结构。
6.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,
所述凹陷结构沿垂直于所述OLED显示基板方向的截面形状包括,矩形、三角形、正梯形和倒梯形中的至少一种;
或者,
所述凸起结构沿垂直于所述OLED显示基板方向的截面形状包括,矩形、三角形、正梯形和倒梯形中的至少一种。
7.根据权利要求2所述的OLED显示基板,其特征在于,所述OLED显示基板还包括,设置在所述发光功能层上的第二电极。
8.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述基板包括,衬底基板和设置在所述衬底基板上的晶体管阵列层。
9.一种OLED显示基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括,
提供一基板,所述基板划分有多个发光区域;在所述基板上形成绝缘材料薄膜;
对所述绝缘材料薄膜进行构图工艺处理,形成像素限定层;其中,所述像素限定层上形成有与每个发光区域相对应的开孔,所述像素限定层远离所述基板的一面上还形成有凹陷结构和/或凸起结构。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述对所述绝缘材料薄膜进行构图工艺处理,形成像素限定层的步骤之前,所述制备方法还包括,
在所述基板上形成对应于每个发光区域的第一电极;待形成的开孔露出所述第一电极的至少部分区域;
在所述对所述绝缘材料薄膜进行构图工艺处理,形成像素限定层的步骤之后,所述制备方法还包括,
形成发光功能层,包括层叠设置的多层结构层;其中,至少有一层所述结构层覆盖在所述开孔内、所述像素限定层远离所述基板的一面上以及所述凹陷结构内。
11.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的OLED显示基板和相对于所述OLED显示基板的对合基板。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述对合基板为封装盖板、或贴附有触控电极层的触控盖板、或彩膜基板。
13.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求11或12所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的