[发明专利]支撑组件、用于处理基底的装置和方法

说明书

实施方案包括支撑组件、基底处理装置和基底处理方法。基底处理装置包括：内部具有处理空间的加工室；用于支撑在加工室内的基底的支撑组件；以及用于将处理气体供应到处理空间的气体供应组件，其中，所述支撑组件包括：金属材料的电极层，能够向该金属材料的电极层施加高频电力；接地线路，其一端连接到电极层并且另一端接地；以及设置在接地线路上的开关。

技术领域

本公开内容涉及支撑组件、用于处理基底的装置和方法。

背景技术

等离子体是通过非常高的温度、强电场或RF电磁场产生的，并且指的是由离子、电子、自由基(radical)等构成的电离气体状态。半导体器件制造过程使用等离子体进行蚀刻过程。通过将等离子体中包含的离子颗粒与基底相撞执行蚀刻过程。蚀刻过程在加工室内执行。将加工气体供给到加工室中，并向加工室施加高频电力以将加工气体激发成等离子体状态。

图1示出了基底处理装置中的一般支撑组件。依次设置了用于支撑基底W的第一电介质板1、底部部分中的导电材料的电极层2以及第二电介质板3。第一电介质板1可以设置有用于支撑基底的顶销(未示出)。在第二电介质板3中形成有冷却流体流动的冷却路径4。当冷却流体流动时，通过冷却流体与冷却路径的外壁之间的摩擦产生静电力。在冷却路径4的外壁上的电荷引起在电极层和板1、2、3中存在的电荷上发生电磁感应现象。例如，参考图1，由于在冷却路径的外壁中产生负电荷，正电荷分布在第二电介质板3的上部部分。而且，负电荷分布在电极层2的下部部分，而正电荷分布在电极层2的上部部分。而且，由于电磁感应现象，负电荷分布在第一电介质板1的下部部分，而正电荷分布在第一电介质板1的上部部分。负电荷分布在由硅材料制成的基底的下部部分，因此基底被吸附到第一电介质板1。

另一方面，当过程完成并且基底将从第一电介质板1卸载时，基底w不应吸附到第一电介质板1。然而，如上所述，存在着基底被电磁感应的非预期吸引力吸附住并且在卸载基底的过程中基底损坏的问题。

发明内容

本文描述的本发明构思的实施方案涉及提供一种支撑组件、基底处理装置和方法，其中，可以防止卸载基底时基底的非预期吸附，从而防止基底损坏。

本发明构思的目的不限于上述描述。本领域技术人员根据下面的描述将能够理解其它目的。

本发明构思的示例实施方案提供一种基底处理装置。

在示例实施方案中，基底处理装置包括：加工室，其内部具有处理空间；用于支撑在加工室内的基底的支撑组件；以及用于将处理气体供应到处理空间的气体供应组件，其中，所述支撑组件包括：金属材料的电极层，能够向该金属材料的电极层施加高频电力；接地线路，其一端连接到电极层并且另一端接地；以及设置在所述接地线路上的开关。

在示例实施方案中，接地线路包括连接到电极层的第一线路和接地的第二线路，其中，所述开关被设置为将第二线路和第一线路电连接。

在示例实施方案中还包括用于控制开关的控制器，其中，当向电极层施加高频电力时控制器使开关保持关断，并且当不向电极层施加高频电力时控制器使开关保持闭合使得第二线路和第一线路电连接。

在示例实施方案中，在第二线路中设置有具有预定电阻值的电阻元件。

在示例实施方案中，第二线路被设置为多个，并且每个第二线路被设置为彼此平行，其中，所述开关被设置为将第二线路中的任何一个与第一线路电连接。

在示例实施方案中，当向电极层施加高频电力时所述控制器使所述开关保持关断，并且当不向电极层施加高频电力时所述控制器使所述开关保持闭合，使得第二线路中的任何一个和第一线路电连接。

在示例实施方案中，在第二线路的每个中均设置有具有预定电阻值的电阻元件，并且电阻元件的电阻值互不相同。

本发明构思的示例实施方案提供了一种支撑组件。