[发明专利]一种刻蚀方法以及阵列基板制作方法

说明书

一种刻蚀方法和阵列基板制作方法。该刻蚀方法应用于依次包括第一层、第二层、第三层的基板，包括：在所述第三层形成过孔图形暴露所述第二层后，使用对所述第三层的刻蚀率小于对所述第二层的刻蚀率的第一刻蚀方法对所述基板进行第一次刻蚀，且使得所述第二层被刻蚀掉的厚度小于所述第二层的初始厚度；在所述第一次刻蚀后，使用对所述第三层的刻蚀率大于对所述第二层的刻蚀率的第二刻蚀方法对所述基板进行第二次刻蚀以暴露出所述第一层。本申请提供的方案，可以提升产能和良率。

技术领域

本发明涉及显示技术，尤指一种刻蚀方法以及阵列基板制作方法。

背景技术

有机膜具有极高的光透过率，并且能够实现产品表面平坦化。随着液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)面板PPI(Pixels Per Inch，像素密度)提高，有机膜越来越多被应用到产品中。

完成有机膜掩膜后，需要刻蚀过孔连接下层金属。目前的方案是在有机膜层上增加过孔掩膜(VIA mask)后进行刻蚀。

发明内容

本发明至少一实施例提供了一种刻蚀方法以及阵列基板制作方法。

本发明至少一实施例提供了一种刻蚀方法，应用于依次包括第一层、第二层、第三层的基板，包括：

在所述第三层形成过孔图形暴露所述第二层后，使用对所述第三层的刻蚀率小于对所述第二层的刻蚀率的第一刻蚀方法对所述基板进行第一次刻蚀，且使得所述第二层被刻蚀掉的厚度小于所述第二层进行所述第一次刻蚀前的初始厚度；

在所述第一次刻蚀后，使用对所述第三层的刻蚀率大于对所述第二层的刻蚀率的第二刻蚀方法对所述基板进行第二次刻蚀以暴露出所述第一层。

在本发明的一可选实施例中，所述第三层在进行所述第一次刻蚀前的初始厚度根据所述第三层在所述第一次刻蚀和第二次刻蚀中损失的厚度以及所述第二次刻蚀完成后所述第三层的目标厚度确定。

在本发明的一可选实施例中，所述第二层在所述第一次刻蚀中刻蚀掉的厚度为所述第二层的初始厚度的30％～80％。

在本发明的一可选实施例中，所述第一刻蚀方法包括：使用包括六氟化硫、氧气的气体进行刻蚀，且所述六氟化硫的流量大于等于所述氧气的流量。

在本发明的一可选实施例中，所述第二刻蚀方法包括：使用包括六氟化硫、氧气的气体进行刻蚀，且所述六氟化硫的流量小于所述氧气的流量。

在本发明的一可选实施例中，所述第三层为有机膜层。

在本发明的一可选实施例中，所述第一层为金属层，所述第二层为非金属层。

本发明至少一实施例提供一种阵列基板制作方法，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成金属层、非金属层和有机膜层，且所述有机膜层的厚度大于所述阵列基板制作完成后所述有机膜层的目标厚度；

对所述有机膜层进行构图工艺形成过孔图形以暴露所述非金属层；

使用对所述有机膜层的刻蚀率小于对所述非金属层的刻蚀率的第一刻蚀方法进行第一次刻蚀，且使得所述非金属层被刻蚀掉的厚度小于所述非金属层在进行所述第一次刻蚀前的初始厚度；

在所述第一次刻蚀后，使用对所述有机膜层的刻蚀率大于对所述非金属层的刻蚀率的第二刻蚀方法进行第二次刻蚀以暴露出所述金属层。

在本发明的一可选实施例中，所述非金属层在所述第一次刻蚀中刻蚀掉的厚度为所述非金属层的初始厚度的30％～80％。

在本发明的一可选实施例中，所述第一刻蚀方法包括：使用包括六氟化硫、氧气的气体进行刻蚀，且所述六氟化硫的流量大于等于所述氧气的流量；