[发明专利]一种刻蚀方法以及阵列基板制作方法

权利要求书

1.一种刻蚀方法，应用于依次包括第一层、第二层、第三层的基板，其特征在于，包括：

在所述第三层形成过孔图形暴露所述第二层后，使用对所述第三层的刻蚀率小于对所述第二层的刻蚀率的第一刻蚀方法对所述基板进行第一次刻蚀，且使得所述第二层被刻蚀掉的厚度小于所述第二层进行所述第一次刻蚀前的初始厚度；

在所述第一次刻蚀后，使用对所述第三层的刻蚀率大于对所述第二层的刻蚀率的第二刻蚀方法对所述基板进行第二次刻蚀以暴露出所述第一层。

2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，

所述第三层在进行所述第一次刻蚀前的初始厚度根据所述第三层在所述第一次刻蚀和第二次刻蚀中损失的厚度以及所述第二次刻蚀完成后所述第三层的目标厚度确定。

3.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，

所述第二层在所述第一次刻蚀中刻蚀掉的厚度为所述第二层的初始厚度的30％～80％。

4.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀方法包括：使用包括六氟化硫、氧气的气体进行刻蚀，且所述六氟化硫的流量大于等于所述氧气的流量。

5.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第二刻蚀方法包括：使用包括六氟化硫、氧气的气体进行刻蚀，且所述六氟化硫的流量小于所述氧气的流量。

6.如权利要求1至5任一所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第三层为有机膜层。

7.如权利要求1至5任一所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一层为金属层，所述第二层为非金属层。

8.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成金属层、非金属层和有机膜层，且所述有机膜层的厚度大于所述阵列基板制作完成后所述有机膜层的目标厚度；

对所述有机膜层进行构图工艺形成过孔图形以暴露所述非金属层；

使用对所述有机膜层的刻蚀率小于对所述非金属层的刻蚀率的第一刻蚀方法进行第一次刻蚀，且使得所述非金属层被刻蚀掉的厚度小于所述非金属层在进行所述第一次刻蚀前的初始厚度；

在所述第一次刻蚀后，使用对所述有机膜层的刻蚀率大于对所述非金属层的刻蚀率的第二刻蚀方法进行第二次刻蚀以暴露出所述金属层。

9.如权利要求8所述的阵列基板制作方法，其特征在于，

所述非金属层在所述第一次刻蚀中刻蚀掉的厚度为所述非金属层的初始厚度的30％～80％。

10.如权利要求8所述的阵列基板制作方法，其特征在于，

所述第一刻蚀方法包括：使用包括六氟化硫、氧气的气体进行刻蚀，且所述六氟化硫的流量大于等于所述氧气的流量；

所述第二刻蚀方法包括：使用包括六氟化硫、氧气的气体进行刻蚀，且所述六氟化硫的流量小于所述氧气的流量。