[发明专利]双氧水体系抛光液以及在该双氧水体系抛光液中抛光THGEM膜的方法

说明书

本发明公开了一种双氧水体系抛光液以及在双氧水体系中抛光THGEM膜的方法，其中，该双氧水体系抛光液的配方如下：硫酸40‑55g、双氧水350‑400g、硝酸10‑15g、尿素2‑3g、柠檬酸1‑2g、聚乙二醇0.05‑0.2g、水补足1L；该抛光方法步骤如下：将装挂好的THGEM膜依次进行除锈、水洗、恒温抛光、脱膜、钝化、超声清洗、吹干。本发明的有益之处在于：(1)抛光液成分简单，原料易得，容易配比；(2)操作容易，反应用的水不需要是去离子水，并且不需要过高温度，最佳工艺条件为45℃；(3)处理时间短，最佳条件下只需要180s；(4)抛光效果好，毛刺去除效果佳，表面更平整，光亮度更高；(5)污染小，对人体无伤害；(6)抛光后的膜耐压高，在氮气环境下可达到1200V。

技术领域

本发明涉及一种抛光液及抛光方法，具体涉及一种双氧水体系抛光液以及在该双氧水体系抛光液中抛光THGEM膜的方法，属于化学抛光技术领域。

背景技术

近几年来，厚型气体电子倍增器(THGEM)发展很快，日益受到重视，已应用于生物医学成像、航天天体X射线成像探测器等领域。

图1是THGEM的结构示意图。THGEM探测器由上层的漂移阴极、底层的电子学读出阳极以及在中间的两层THGEM膜构成。工作时，THGEM上下两层电极加上一定的电压(400V)，小孔中形成很强的电场(80KV/cm)，在漂移区电离产生的电子被电场导入孔内，产生雪崩放大，经两级雪崩增殖后进入最下层THGEM膜与阳极之间的感应区，最后被阳极吸收，产生电子学信号。单级THGEM的增益一般在10²左右，可根据需要将两级或多级THGEM膜叠加，将增益提高至10⁵。THGEM探测器阳极感应的电子学信号来源于感应区内雪崩放大后的大量电子渡越。各层THGEM中的正离子朝向阴极运动，被微孔板所屏蔽，对阳极信号没有贡献，是纯电子渡越效应，而且感应区的间隙很窄，因此THGEM信号比丝室信号快1～2个数量级。

传统PCB工艺生产的THGEM需要有100μm的边缘(rim)防止打火，其制作方法采用标准PCB生产工艺，按四个主要步骤进行：钻孔、压膜、蚀刻、去膜。

制作带rim THGEM最难控制的是压膜工艺，压膜需要准确对齐每个孔和rim的圆心，否则由于单个孔的质量不好会影响到整块THGEM板的工作性能。

因此，THGEM的制作对钻孔精度、压膜定位精度、压膜的工作环境等有较高的要求，增加了大面积THGEM制作的难度。

我们曾提出过一种整板微蚀工艺，该工艺实现了最大面积30cm×30cmTHGEM的研制。经过多种THGEM的实验研究，我们得到了一种厚度比较理想的THGEM结构：孔径D＝200μm，厚度T＝200μm，边缘rim＝5～10μm。该较薄THGEM的能量分辨达到15.9％，单层增益10³～10⁴，稳定性、增益均匀性等性能良好，很好地满足了THGEM的应用需求。

THGEM的主要部件THGEM膜的去毛刺效果对THGEM的广泛应用有极大影响。由于THGEM工作时有毛刺的地方会尖端放电，所以为了避免THGEM膜放电，扩大增益，我们需要对THGEM膜做进一步抛光处理。

若用传统的机械、手工抛光，抛光时抛光粉、碎屑等材料会跑进膜的孔里，进而会堵塞微孔结构。

发明内容

为解决现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种抛光液及化学抛光法，具体是一种双氧水体系抛光液以及在该双氧水体系抛光液中抛光THGEM膜的方法，其中，该方法可以制出高性能的THGEM膜。

为了实现上述目标，本发明采用如下的技术方案：

在双氧水体系抛光液中抛光THGEM膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

Step1：配制抛光液

抛光液的配方如下：