[发明专利]一种多晶硅棒生长直径的测量装置

说明书

技术领域

本发明涉及多晶硅技术领域，具体为一种多晶硅棒生长直径的测量装置。

背景技术

多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。利用价值：从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。

现有技术中，需要根据多晶硅的生长规律预先制定出进料生长曲线和电流/电压曲线，然后再生产多晶硅。在多晶硅的生产过程中，操作人员需通过还原炉上的视窗观察并监测多晶硅的生长情况，例如监测原料硅棒的生长直径，并根据多晶硅的实际生长情况来优化实际的进料生长曲线和电流/电压曲线。然而，目前的情况是，对原料硅棒的生长直径的监测大多依赖于操作人员的观察及经验，即，操作人员通过肉眼观察原料硅棒，并凭借其经验估算出原料硅棒的生长直径。这种估算方式对操作人员的经验的要求比较高，估算结果也因人而异，误差较大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多晶硅棒生长直径的测量装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种多晶硅棒生长直径的测量装置，包括炉体，所述炉体的底部连接有支腿，所述炉体底部安装有液压缸，所述液压缸的输出端连接有活塞杆，所述活塞杆的一端伸入到炉体内，所述活塞杆的端部连接有升降平台，所述炉体的顶部设有检测窗，所述检测窗水平设置，所述检测窗的顶部转动连接有测微尺，所述炉体的侧壁上固定连接有固定支架，所述固定支架上转动连接有转动支架，所述转动支架的一端连接有光学显微镜，所述光学显微镜的顶部设有观察口，所述光学显微镜的底部设有镜头，所述镜头处还设有红外线发射器，所述炉体的内部均匀覆盖有保温结构层，所述炉体内部还安装有LED灯。

优选的，所述支腿的底部设有地脚，所述支腿和地脚之间螺纹连接。

优选的，所述转动支架包括第一转动架和第二转动架，所述第一转动架和第二转动架之间转动连接。

优选的，所述炉体的正面还设有观察窗和温度计。

优选的，所述检测窗的截面为圆形，所述检测窗和炉体的连接处还设有密封圈。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明结构新颖，操作方便，通过在炉体的顶部设置检测窗，并在检测窗的顶部转动连接有测微尺，操作人员通过控制液压缸，使活塞杆推动升降平台向上移动，多晶硅安置在升降平台上，此时多晶硅靠近检测窗，操作人员通过转动支架将光学显微镜的镜头对准多晶硅，此时，转动测微尺，使测微尺测量多晶硅的直径，利用红外线发射器发射出的红外光辅助测量定位，减小误差，通过设置LED灯，保证测量的光线，增设观察窗和温度计，提高了装置的功能性，具有很高的实用性，大大提升了该一种多晶硅棒生长直径的测量装置的使用功能性，保证其使用效果和使用效益，适合广泛推广。

附图说明

图1为本发明一种多晶硅棒生长直径的测量装置的结构示意图；

图2为本发明一种多晶硅棒生长直径的测量装置的内部结构示意图；

图3为本发明一种多晶硅棒生长直径的测量装置的测微尺结构示意图；

图4为本发明一种多晶硅棒生长直径的测量装置的转动支架部分结构示意图。

图中：1炉体、2支腿、3液压缸、4活塞杆、5升降平台、6检测窗、7密封圈、8测微尺、9固定支架、10转动支架、11光学显微镜、12观察口、13镜头、14红外线发射器、15保温结构层、16LED灯、17第一转动架、18第二转动架、19观察窗、20温度计。

具体实施方式

下面结合说明书附图和实施例，对本发明的具体实施例做进一步详细描述：