[发明专利]电容器阵列及制造方法

说明书

本发明实施例提供的电容器阵列及制造方法。电容器阵列包括：第一组电容器和第二组电容器，第一组电容器包括第一电容器和第二电容器，第二组电容器包括第三电容器和第四电容器，第一电容器、第二电容器、第三电容器和第四电容器均为具有镜像对称平面极板的电容器，且包含上层极板和下层极板，第一电容器和第二电容器的同层平面极板以第一对称轴为轴成镜像对称分布，第三电容器和第四电容器的同层平面极板以第二对称轴为轴成镜像对称分布，第一对称轴与第二对称轴之间具有预设角度。所以从一组电容耦合到另一组电容的信号大小完全相等，构成共模信号，该共模信号可以被差分信号检测端口过滤，从而改善了不同电容通道之间的干扰问题。

技术领域

本发明涉及电气元件领域，具体而言，涉及一种电容器阵列及制造方法。

背景技术

使用电容在具有高电压差的芯片或模块之间传输信号，在通讯模块和数据总线中具有广泛的应用。随着系统集成度的提高，分立电容器件逐渐被芯片上的集成电容取代。

集成电容多采取平面结构，包含上下两层平面金属极板，通过极板间的介质层实现电容极板之间的高压隔离和电场耦合。随着系统体积的缩小以及传输信号的脉冲宽度的缩短，集成电容的极板面积相应的缩小，并且相邻电容的间距也不断缩小。这导致了不同电容的极板之间耦合增强，属于不同信号通道的电容之间会产生更强的干扰信号。

传统的差分信号检测方法虽然可以有效过滤共模干扰信号，但无法消除由于集成电容内在的通道间耦合产生的非共模干扰信号，特别是在使用电容进行双向信号传输的时，通道间的耦合情况更加复杂和显著。因此，如何解决电容集成技术中不同电容通道的干扰问题是本领域亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种电容器阵列及制造方法，以改善现有的电容集成技术中不同电容通道的干扰问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种电容器阵列，包括第一组电容器和第二组电容器，所述第一组电容器包括第一电容器和第二电容器，所述第二组电容器包括第三电容器和第四电容器，所述第一电容器、第二电容器、第三电容器和第四电容器均为具有镜像对称平面极板的电容器，包含上层极板和下层极板，所述第一电容器和第二电容器的同层极板以第一对称轴为轴成镜像对称分布，所述第三电容器和第四电容器的同层极板以第二对称轴为轴成镜像对称分布，所述第一对称轴与第二对称轴之间具有预设角度。

一种电容器阵列的制造方法，用于制造上述的电容器阵列，所述方法包括：在衬底沉积第一介质层；使用金属材料在所述第一介质层形成电容器的第一极板；在所述第一极板的表面以及第一介质层的表面形成第二介质层；使用金属材料在所述第二介质层形成电容器的第二极板；在所述第二极板的表面以及第二介质层的表面形成第三介质层。

本发明实施例提供的电容器阵列及制造方法的有益效果为：