[发明专利]基板清洗方法、基板清洗系统以及存储介质有效
| 申请号: | 201710375222.5 | 申请日: | 2017-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN107437517B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
| 发明(设计)人: | 关口贤治;菅野至;相原明德;立花康三 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 清洗 方法 系统 以及 存储 介质 | ||
1.一种基板清洗方法,用于对基板进行清洗,所述基板的表面由与水发生反应而发生溶解或腐蚀的材料形成,所述基板清洗方法的特征在于,包括以下工序:
成膜处理液供给工序,向基板供给成膜处理液,该成膜处理液包含挥发成分且含有用于在所述基板上形成膜的极性有机物;
剥离处理液供给工序,对所述成膜处理液因所述挥发成分挥发而在所述基板上发生固化或硬化所形成的处理膜供给使该处理膜从所述基板剥离的剥离处理液;以及
溶解处理液供给工序,在所述剥离处理液供给工序之后,对所述处理膜供给使该处理膜溶解的溶解处理液,
其中,在所述剥离处理液供给工序中使用的剥离处理液是不含水分的非极性溶剂,在所述溶解处理液供给工序中使用的溶解处理液是不含水分的极性溶剂。
2.根据权利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于,
所述成膜处理液是含有作为极性有机物的合成树脂的液体。
3.根据权利要求1或2所述的基板清洗方法,其特征在于,
所述极性溶剂包含乙醇类溶剂、丙二醇甲醚醋酸酯溶剂、丙二醇甲醚溶剂以及甲基异丁基甲醇溶剂中的至少一种溶剂。
4.根据权利要求1或2所述的基板清洗方法,其特征在于,
所述非极性溶剂包含氟系的溶剂。
5.根据权利要求4所述的基板清洗方法,其特征在于,
所述非极性溶剂包含氢氟醚溶剂、氢氟烃溶剂、氢氟烯烃溶剂以及全氟碳溶剂中的至少一种溶剂。
6.根据权利要求1或2所述的基板清洗方法,其特征在于,
所述基板由锗或III-V族的材料形成。
7.根据权利要求1或2所述的基板清洗方法,其特征在于,
所述基板由金属材料形成。
8.根据权利要求1或2所述的基板清洗方法,其特征在于,
在所述成膜处理液供给工序中,在向所述基板的表面供给所述成膜处理液的期间,或者在向所述基板供给所述成膜处理液之后,对所述基板的背面的周缘部供给所述溶解处理液。
9.根据权利要求1或2所述的基板清洗方法,其特征在于,还包括以下工序:
收纳工序,在所述成膜处理液供给工序之后,将所述成膜处理液因所述挥发成分挥发而发生固化或硬化从而形成有处理膜的基板收纳到输送容器;以及
取出工序,将被收纳到所述输送容器的、所述成膜处理液供给工序后的基板取出,
在所述剥离处理液供给工序中,对在所述取出工序中被取出的基板供给所述剥离处理液。
10.根据权利要求9所述的基板清洗方法,其特征在于,
在所述成膜处理液供给工序中,对使形成于内部的金属配线的至少一部分露出的干蚀刻后或灰化后的基板供给所述成膜处理液。
11.根据权利要求10所述的基板清洗方法,其特征在于,
在所述干蚀刻中使用氟化碳系气体,所述剥离处理液是氟系的溶剂。
12.一种基板清洗系统,用于对基板进行清洗,所述基板的表面由与水发生反应而发生溶解或腐蚀的材料形成,所述基板清洗系统的特征在于,具备:
剥离处理液供给部,其对在被供给了含有挥发成分的成膜处理液的基板上所述成膜处理液因所述挥发成分挥发而在所述基板上发生固化或硬化所形成的处理膜供给使该处理膜从所述基板剥离的剥离处理液;以及
溶解处理液供给部,其对所述处理膜供给使该处理膜溶解的溶解处理液,
其中,在所述剥离处理液供给部中供给的剥离处理液是不含水分的非极性溶剂,在所述溶解处理液供给部中使用的溶解处理液是不含水分的极性溶剂。
13.一种能够由计算机读取的存储介质,存储有在计算机上进行动作来对基板清洗系统进行控制的程序,所述存储介质的特征在于,
所述程序在被执行时使计算机对所述基板清洗系统进行控制,以进行根据权利要求1~11中的任一项所述的基板清洗方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





