[发明专利]基板清洗方法、基板清洗系统以及存储介质有效
| 申请号: | 201710375222.5 | 申请日: | 2017-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN107437517B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
| 发明(设计)人: | 关口贤治;菅野至;相原明德;立花康三 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 清洗 方法 系统 以及 存储 介质 | ||
提供一种基板清洗方法、基板清洗系统以及存储介质。不会对由与水发生反应而发生溶解或腐蚀的材料形成的基板的表面产生影响地将附着于基板的异物去除。实施方式所涉及的基板清洗方法包括以下工序:成膜处理液供给工序,向基板供给含有挥发成分且用于在基板上形成膜的成膜处理液;剥离处理液供给工序,对成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上发生固化或硬化所形成的处理膜供给使处理膜从基板剥离的剥离处理液;以及溶解处理液供给工序,在剥离处理液供给工序之后,对处理膜供给使处理膜溶解的溶解处理液。在此,成膜处理液含有极性有机物,剥离处理液是不含水分的非极性溶剂,溶解处理液是不含水分的极性溶剂。
技术领域
本公开的实施方式涉及一种基板清洗方法、基板清洗系统以及存储介质。
背景技术
以往,已知一种将附着于硅晶圆、化合物半导体晶圆等基板的微粒去除的基板清洗装置。在专利文献1所公开的基板清洗方法中,向基板供给含有挥发成分且用于在基板上形成膜的成膜处理液,对通过挥发成分挥发而成膜处理液在基板上发生固化或硬化所形成的处理膜供给使处理膜从基板剥离的剥离处理液,之后,对处理膜供给使处理膜溶解的溶解处理液,由此不对基板的表面产生影响地将附着于基板的粒子直径小的异物去除。
专利文献1:日本特开2015-119164号公报
发明内容
然而,在专利文献1的基板清洗方法中,使用含有水分的剥离处理液和溶解处理液,从而不能应用于由有可能与水发生反应而被溶解的某种Ge(锗)或III-V族等材料形成的基板。另外,也不能应用于由有可能与水发生反应而导致被腐蚀的磁阻存储器的金属材料形成的基板。
实施方式的一个方式的目的在于,提供一种能够不对由与水发生反应而发生溶解或腐蚀的材料形成的基板的表面产生影响地将附着于基板的异物去除的基板清洗方法、基板清洗系统以及存储介质。
实施方式的一个方式所涉及的基板清洗方法包括以下工序:成膜处理液供给工序,向基板供给包含挥发成分且用于在所述基板上形成膜的成膜处理液;剥离处理液供给工序,对所述成膜处理液因所述挥发成分挥发而在所述基板上发生固化或硬化所形成的处理膜供给使该处理膜从所述基板剥离的剥离处理液;以及溶解处理液供给工序,在所述剥离处理液供给工序之后,对所述处理膜供给使该处理膜溶解的溶解处理液,其中,在所述剥离处理液供给工序中使用的剥离处理液是不含水分的非极性溶剂,在所述溶解处理液供给工序中使用的溶解处理液是不含水分的极性溶剂。
实施方式的一个方式能够不对由与水发生反应而发生溶解或腐蚀的材料形成的基板的表面产生影响地将附着于基板的异物去除。
附图说明
图1A是第一实施方式所涉及的基板清洗方法的说明图。
图1B是第一实施方式所涉及的基板清洗方法的说明图。
图1C是第一实施方式所涉及的基板清洗方法的说明图。
图1D是第一实施方式所涉及的基板清洗方法的说明图。
图1E是第一实施方式所涉及的基板清洗方法的说明图。
图2是表示第一实施方式所涉及的基板清洗系统的结构的示意图。
图3是表示第一实施方式所涉及的基板清洗装置的结构的示意图。
图4是表示第一实施方式所涉及的基板清洗装置所执行的基板清洗处理的处理过程的流程图。
图5A是第一基板清洗装置的动作说明图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





