[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板和显示设备有效
申请号: | 201710374728.4 | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN106960851B | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 李洋;唐硕;孟影;封宾;孙鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张京波;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 设备 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的金属引线和栅极,所述金属引线沿第一方向延伸并与所述栅极同层设置;
包括第一过孔的栅极隔离层,设置在所述衬底基板上、并覆盖所述金属引线和所述栅极;
位于所述栅极隔离层上的数据线,所述数据线沿第二方向延伸;
包括第二过孔的钝化层,设置在所述栅极隔离层上、并覆盖所述数据线,所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影在所述第一方向上的间距为0,且所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影和所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影重合、并与所述金属引线在所述衬底基板的正投影重叠;以及
导电层,通过所述第一过孔和所述第二过孔将所述金属引线和所述数据线电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述钝化层还包括第三过孔,所述第三过孔在所述衬底基板上的正投影和所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影在所述第一方向上的间距为0、并与所述数据线在所述衬底基板上的正投影重叠。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述导电层通过所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔将所述金属引线和所述数据线电连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述金属引线和所述数据线在所述衬底基板上的正投影相互垂直。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电层的材质为氧化铟锡,所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影的形状为半圆形,所述半圆形的直线部分与所述数据线在所述衬底基板上的正投影相接。
6.根据权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括多组一一对应设置的所述金属引线、所述数据线、所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔;
其中,任一所述金属引线沿第一方向延伸,多个所述金属引线在第二方向上相互平行布置;任一所述数据线沿第二方向延伸,多个所述数据线在第一方向上相互平行布置。
7.一种显示面板,其特征在于,包括有如权利要求1至6中任一项所述的阵列基板。
8.一种显示设备,其特征在于,包括有如权利要求7所述的显示面板。
9.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上依次制作金属引线和栅极、栅极隔离层、数据线、钝化层,且所述金属引线和所述栅极同层设置、所述金属引线沿第一方向延伸、所述数据线沿第二方向延伸;
在所述钝化层内形成第二过孔和所述栅极隔离层内形成第一过孔,其中,所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影在所述第一方向上的间距为0,所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影和所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影重合、并与所述金属引线在所述衬底基板的正投影重叠;
在所述第一过孔和所述第二过孔的内表面上制作导电层,并使所述导电层通过所述第一过孔和所述第二过孔将所述金属引线和所述数据线电连接。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,还包括:
在所述钝化层内形成第三过孔,其中,所述第三过孔在所述衬底基板上的正投影和所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影在所述第一方向上的间距为0、并与所述数据线在所述衬底基板上的正投影重叠;
在所述第一过孔和所述第二过孔的内表面上制作导电层的同时,在所述第三过孔内一并制作导电层,使所述导电层通过所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔将所述金属引线和所述数据线电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的