[发明专利]一种制备大面积石墨烯纳米筛薄膜的方法

权利要求书

1.一种石墨烯纳米筛薄膜的原位制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将清洗好的片状金属基底置于浓度为0.1～10mg/mL的氧化石墨烯水溶液中，在40～80℃反应1～12小时；取出，得到片状的石墨烯/金属片复合物；

(2)用清水冲洗步骤(1)所述石墨烯/金属片复合物，然后干燥，得到干燥后的石墨烯/金属片复合物；

(3)将步骤(2)得到的干燥后的石墨烯/金属片复合物置于惰性气氛中在温度为400～1100℃的条件下煅烧0.5～3小时；冷却后取出，用盐酸清洗得到石墨烯纳米筛薄膜；

通过氧化石墨烯与所述片状金属基底之间的氧化还原反应，自发在片状金属表面形成石墨烯凝胶膜，同时氧化还原反应生成的金属氧化物均匀附着在石墨烯凝胶膜中，然后通过高温煅烧和酸洗原位形成石墨烯纳米筛薄膜，通过调节煅烧温度来调控该薄膜的孔径，同时由于该薄膜的大小直接取决于初始金属金属片的大小，通过加大金属片的面积能够实现大面积石墨烯纳米筛薄膜的制备。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述清洗具体方法为：依次采用乙醇、盐酸和去离子水清洗所述片状金属基底，得到清洗好的金属片；所述片状金属基底为铁片、钴片或镍片。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述氧化石墨烯水溶液采用氧化剥离法制备得到。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述氧化石墨烯的浓度为1～10mg/mL。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述惰性气氛为氩气气氛。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述煅烧的升温速率为5℃/min。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述煅烧的温度为450～900℃。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述用盐酸清洗具体为：置于6.0M的盐酸中浸泡8小时。

9.一种石墨烯纳米筛薄膜，其特征在于，其按照如权利要求1～8所述的制备方法制备得到。

10.一种如权利要求9所述的石墨烯纳米筛薄膜的应用，其特征在于，应用于柔性电极材料。