[发明专利]微发光二极管显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201710370730.4 | 申请日: | 2017-05-23 |
公开(公告)号: | CN107170773B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 卢马才 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/38 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本发明提供一种微发光二极管显示面板及其制作方法。该微发光二极管显示面板的衬底基板上设有间隔排列的第一电极触点和第二电极触点,所述第一电极触点和第二电极触点分别与微发光二极管的底电极和连接电极接触,所述连接电极还与微发光二极管的顶电极接触,能够在微发光二极管转印后直接进行微发光二极管的检测,降低产品检测及修复的难度,提升产品良率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种微发光二极管显示面板及其制作方法。
背景技术
平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
微发光二极管(Micro LED)显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素来实现图像显示的显示器,同大尺寸的户外LED显示屏一样,每一个像素可定址、单独驱动点亮,可以看成是户外LED显示屏的缩小版,将像素点距离从毫米级降低至微米级,Micro LED显示器和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器一样属于自发光显示器,但Micro LED显示器相比OLED显示器还具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点,被认为是OLED显示器的最大竞争对手。
在微发光二极管显示面板的制作过程中,微发光二极管必须先在原始基板(如蓝宝石类基板)上通过分子束外延的方法生长出来,而做成显示面板,还必须要把微发光二极管器件从原始基板上转移到用于形成显示面板的接收基板上排成显示阵列,具体为:先在原始基板上形成微发光二极管,随后通过激光剥离技术(Laser lift-off,LLO)等方法将微发光二极管从原始基板上剥离开,并使用一个采用诸如聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)等材料制作的转印头,将微发光二极管从原始基板上吸附到接收基板上预设的位置。
目前,微发光二极管转印到接收基板上后,还需要形成顶部电极后才能判断微发光二极管与接收基板的邦定是否正常,但由于此时制程已经基本完成,这种情况下即便发现微发光二极管与接收基板的邦定不良,也已很难修复,因此需要提供一种新的微发光二极管显示面板及其制作方法,能够在转印之后直接进行微发光二极管的工作状况检测,降低产品检测及修复的难度,提升产品良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种微发光二极管显示面板,能够降低产品检测及修复的难度,提升产品良率。
本发明的目的还在于提供一种微发光二极管显示面板的制作方法,能够降低产品检测及修复的难度,提升产品良率。
为实现上述目的,本发明提供了一种微发光二极管显示面板,包括:衬底基板、设于所述衬底基板上的多个阵列排布的子像素区域、设于每一个子像素区域内的间隔排列的第一电极触点和第二电极触点、以及设于每一个子像素区域内的第一电极触点和第二电极触点上的微发光二极管;
所述微发光二极管包括:与所述第一电极触点接触的底电极、设于所述底电极上方并与所述底电极接触LED半导体层、设于所述LED半导体层上方并与所述LED半导体层接触的顶电极、包围所述LED半导体层的绝缘保护层、以及设于所述绝缘保护层上的连接所述顶电极和第二电极触点的连接电极。
还包括:设于所述衬底基板与第一电极触点和第二电极触点之间的TFT层;
所述TFT层包括:设于所述衬底基板上的有源层、覆盖所述有源层与所述衬底基板的栅极绝缘层、设于所述有源层上方的栅极绝缘层上的栅极、覆盖所述栅极以及栅极绝缘层的层间绝缘层、设于所述层间绝缘层上的与所述有源层的两端接触的源极和漏极、以及覆盖所述源极、漏极和层间绝缘层的钝化层;所述第二电极触点与所述源极接触。
还包括设于钝化层上且位于微发光二极管的四周的像素定义层、以及覆盖所述钝化层、第一电极触点、第二电极触点、微发光二极管及像素定义层的保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的