[发明专利]微发光二极管显示面板及其制作方法

权利要求书

1.一种微发光二极管显示面板，其特征在于，包括：衬底基板(41)、设于所述衬底基板(41)上的多个阵列排布的子像素区域(15)、设于每一个子像素区域(15)内的间隔排列的第一电极触点(43)和第二电极触点(44)、以及设于每一个子像素区域(15)内的第一电极触点(43)和第二电极触点(44)上的微发光二极管(200)；

所述微发光二极管(200)包括：与所述第一电极触点(43)接触的底电极(6)、设于所述底电极(6)上方并与所述底电极(6)接触的LED半导体层(2)、设于所述LED半导体层(2)上方并与所述LED半导体层(2)接触的顶电极(13)、部分包围所述LED半导体层(2)的绝缘保护层(14)、以及设于所述绝缘保护层(14)上的连接所述顶电极(13)和第二电极触点(44)的连接电极(7)。

2.如权利要求1所述的微发光二极管显示面板，其特征在于，还包括：设于所述衬底基板(41)与第一电极触点(43)和第二电极触点(44)之间的TFT层(42)；

所述TFT层(42)包括：设于所述衬底基板(41)上的有源层(421)、覆盖所述有源层(421)与所述衬底基板(41)的栅极绝缘层(422)、设于所述有源层(421)上方的栅极绝缘层(422)上的栅极(423)、覆盖所述栅极(423)以及栅极绝缘层(422)的层间绝缘层(424)、设于所述层间绝缘层(424)上的与所述有源层(421)的两端接触的源极(425)和漏极(426)、以及覆盖所述源极(425)、漏极(426)和层间绝缘层(424)的钝化层(427)；所述第二电极触点(44)与所述源极(425)接触。

3.如权利要求2所述的微发光二极管显示面板，其特征在于，还包括设于钝化层(427)上且位于微发光二极管(200)的四周的像素定义层(45)、以及覆盖所述钝化层(427)、第一电极触点(43)、第二电极触点(44)、微发光二极管(200)及像素定义层(45)的保护层(16)。

4.一种微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一原始基板(1)，在所述原始基板(1)上形成多个间隔排列的微发光二极管的半成品(100)；

每一个微发光二极管的半成品(100)均包括：设于所述原始基板(1)上的LED半导体层(2)、部分覆盖所述LED半导体层(2)和原始基板(1)的第一绝缘层(3)、设于所述第一绝缘层(3)上并与所述LED半导体层(2)接触的底电极(6)、以及设于所述第一绝缘层(3)上并与原始基板(1)接触的连接电极(7)；

步骤2、提供一转运基板(8)，将所述转运基板(8)表面与各个微发光二极管的半成品(100)的底电极(6)以及连接电极(7)粘合，剥离所述原始基板(1)，使得所有的微发光二极管的半成品(100)均转移到转运基板(8)上，暴露出所述LED半导体层(2)与原始基板(1)接触的一侧表面；

步骤3、在所述暴露出的LED半导体层(2)以及第一绝缘层(3)上依次形成第二绝缘层(9)和设于第二绝缘层(9)上的顶电极(13)，得到多个间隔排列的微发光二极管(200)；所述顶电极(13)与所述LED半导体层(2)和连接电极(7)接触；

步骤4、提供一转印头(300)和一接收基板(400)，所述接收基板(400)包括：衬底基板(41)、设于所述衬底基板(41)上多个阵列排布的子像素区域(15)、以及设于每一个子像素区域(15)内的间隔排列的第一电极触点(43)和第二电极触点(44)；

步骤5、通过所述转印头(300)将转运基板(8)上的微发光二极管(200)转印到接收基板(400)上，每一个子像素区域(15)对应一个微发光二极管(200)，各个子像素区域(15)内的微发光二极管(200)的底电极(6)和连接电极(7)分别与该子像素区域(15)内的第一电极触点(43)和第二电极触点(44)邦定；

步骤6、向所述第一电极触点(43)和第二电极触点(44)提供测试电压，测试接收基板(400)上的各个微发光二极管(200)是否能够正常点亮，若所述接收基板(400)上所有微发光二极管(200)均能正常点亮，则在所述微发光二极管(200)、第一电极触点(43)、及第二电极触点(44)上继续形成保护层(16)；若所述接收基板(400)上有微发光二极管(200)不能正常点亮，则将不能正常点亮的微发光二极管(200)替换为新的微发光二极管(200)，并重新测试直至接收基板(400)上所有微发光二极管(200)均能正常点亮。