[发明专利]参考电压产生电路

说明书

本发明提供了一种参考电压产生电路，所述参考电压产生电路为存储器的读取电路和列译码电路提供调节后的参考电压，所述参考电压产生电路包括隔离模块、第一补偿模块和第二补偿模块，其中：所述第一补偿模块和所述隔离模块对所述电源电压进行钳位形成初步参考电压，并根据所述读取电路和所述列译码电路中的器件所具有的工艺角特性对所述初步参考电压进行补偿；所述第二补偿模块根据所述第一补偿模块的温度特性对所述初步参考电压进行补偿，形成调节后的参考电压。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别涉及一种参考电压产生电路。

背景技术

针对硅存储闪存单元结构，要求读操作时字线上施加2.7V的参考电压。在现有技术中通常利用带隙基准电路产生参考电压，但由于会引入额外的电压功耗，不适合低功耗设计。而常见的低功耗参考电压产生电路仅是单纯的电阻分压电路，如图1所示，参考电压值跟电源电压值相关，即随着电源电压变化，参考电压也相应变化，造成偏差较大的问题，若参考电压过低，会减小电流窗口，影响读取速度。

因此，需要设计一种不影响读取速度的参考电压产生电路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种参考电压产生电路，以解决现有的参考电压偏差大而影响读取速度的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种参考电压产生电路，所述参考电压产生电路为存储器的读取电路和列译码电路提供调节后的参考电压，所述参考电压产生电路包括隔离模块、第一补偿模块和第二补偿模块，其中：

所述第一补偿模块和所述隔离模块对所述电源电压进行钳位形成初步参考电压，并根据所述读取电路和所述列译码电路中的器件所具有的工艺角特性对所述初步参考电压进行补偿；

所述第二补偿模块根据所述第一补偿模块的温度特性对所述初步参考电压进行补偿，形成调节后的参考电压。

可选的，在所述的参考电压产生电路中，所述读取电路和所述列译码电路包括多个N型场效应管。

可选的，在所述的参考电压产生电路中，所述第一补偿模块包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极和漏极分别连接第二补偿模块的输入端和输出端，所述第一晶体管的源极接地。

可选的，在所述的参考电压产生电路中，所述第一晶体管为N型场效应管。

可选的，在所述的参考电压产生电路中，位于所述工艺角左下角的N型场效应管产生的所述初步参考电压的平均值高于所述参考电压的基准值，位于所述工艺角右上角的N型场效应管产生的所述初步参考电压的平均值低于所述参考电压的基准值，其中：所述参考电压的基准值为位于所述工艺角中间的N型场效应管产生的所述参考电压的平均值。

可选的，在所述的参考电压产生电路中，所述第一晶体管位于所述工艺角左下角。

可选的，在所述的参考电压产生电路中，所述第一晶体管具有正温度系数特性，所述第二补偿模块包括具有负温度系数特性的器件。

可选的，在所述的参考电压产生电路中，所述第二补偿模块包括第一二极管，所述第一二极管的阴极连接所述第一晶体管的漏极，所述第一二极管的阳极连接所述第一晶体管的栅极。

可选的，在所述的参考电压产生电路中，所述第二补偿模块包括第二晶体管，所述第二晶体管为N型场效应管，所述第二晶体管的漏极和栅极连接所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管的源极连接所述第一晶体管的漏极。

可选的，在所述的参考电压产生电路中，所述隔离模块包括第一电阻，所述第一电阻的两端分别连接电源和第一晶体管的栅极。

可选的，在所述的参考电压产生电路中，所述第一电阻位于电阻工艺角的中间位置。