[发明专利]参考电压产生电路

权利要求书

1.一种参考电压产生电路，所述参考电压产生电路为存储器的读取电路和列译码电路提供调节后的参考电压，其特征在于，所述参考电压产生电路包括隔离模块、第一补偿模块和第二补偿模块，其中：

所述第一补偿模块和所述隔离模块对电源电压进行钳位形成初步参考电压，并根据所述读取电路和所述列译码电路中的器件所具有的工艺角特性对所述初步参考电压进行补偿；

所述第二补偿模块根据所述第一补偿模块的温度特性对所述初步参考电压进行补偿，形成调节后的参考电压。

2.如权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述读取电路和所述列译码电路包括多个N型场效应管。

3.如权利要求2所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一补偿模块包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极和漏极分别连接第二补偿模块的输入端和输出端，所述第一晶体管的源极接地。

4.如权利要求3所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一晶体管为N型场效应管。

5.如权利要求4所述的参考电压产生电路，其特征在于，位于所述工艺角左下角的N型场效应管产生的所述初步参考电压的平均值高于所述参考电压的基准值，位于所述工艺角右上角的N型场效应管产生的所述初步参考电压的平均值低于所述参考电压的基准值，其中：所述参考电压的基准值为位于所述工艺角中间的N型场效应管产生的所述参考电压的平均值。

6.如权利要求5所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一晶体管位于所述工艺角左下角。

7.如权利要求3所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一晶体管具有正温度系数特性，所述第二补偿模块包括具有负温度系数特性的器件。

8.如权利要求7所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第二补偿模块包括第一二极管，所述第一二极管的阴极连接所述第一晶体管的漏极，所述第一二极管的阳极连接所述第一晶体管的栅极。

9.如权利要求7所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第二补偿模块包括第二晶体管，所述第二晶体管为N型场效应管，所述第二晶体管的漏极和栅极连接所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管的源极连接所述第一晶体管的漏极。

10.如权利要求3所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述隔离模块包括第一电阻，所述第一电阻的两端分别连接电源和第一晶体管的栅极。

11.如权利要求10所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一电阻位于电阻工艺角的中间位置。

12.一种参考电压产生电路，所述参考电压产生电路为存储器的读取电路和列译码电路提供调节后的参考电压，其特征在于，所述参考电压产生电路包括隔离模块、第三晶体管和第三补偿模块，其中：

所述隔离模块、所述第三晶体管和所述第三补偿模块对电源电压进行钳位，形成初步参考电压；

所述第三补偿模块根据所述第三晶体管的温度特性对所述初步参考电压进行补偿，形成调节后的参考电压。

13.如权利要求12所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第三补偿模块包括第四晶体管，所述第四晶体管为PNP型三极管，所述第四晶体管的基极和集电极接地，所述第四晶体管的发射极连接所述第三晶体管。

14.如权利要求13所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第三晶体管为P型场效应管，所述第三晶体管的栅极接地，所述第三晶体管的漏极连接第四晶体管的发射极，所述第三晶体管的源极连接电源。