[发明专利]薄膜晶体管面板缺陷的检测方法及检测设备在审
申请号: | 201710367799.1 | 申请日: | 2017-05-23 |
公开(公告)号: | CN108538739A | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 庄文忠 | 申请(专利权)人: | 兴城科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N25/72 |
代理公司: | 上海音科专利商标代理有限公司 31267 | 代理人: | 刘香兰 |
地址: | 中国台湾桃园市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 异常影像 影像数据 检测设备 检测 薄膜晶体管面板 薄膜晶体管 相对应位置 后续工艺 施加电压 位置标示 用户设定 热像仪 比对 扫描 | ||
本发明公开一种薄膜晶体管、即TFT面板缺陷的检测方法及检测设备,该方法包括施加电压至面板的线路,其中所述线路包含多个位置,利用热像仪扫描多个位置,以获得多个位置的多笔温度影像数据,以及将多笔温度影像数据与正常温度影像数据进行比对以检测出异常影像数据,当判断出所述异常影像数据所代表的相对应位置的温度高于用户设定值时,便将与各异常影像相对应的所有位置标示为存有缺陷的位置,以利于进行后续工艺。
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管面板缺陷的检测方法及检测设备,尤其涉及一种利用热像仪对面板上的线路进行扫描的缺陷检测方法及检测设备。
背景技术
目前台湾的面板业是以薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)为主,其利用一片TFT面板与另一片彩色滤光片(ColorFilter,CF)相贴合后,再灌入液晶而形成。其工艺包括前段阵列(Array)工艺及后段面板组装(Cell)工艺,而TFT面板(Panel)在制作的过程中,必须先使用一种电性检测设备对其缺陷进行检测,以确保产品的质量无虞。
请参阅图1,显示出针对一TFT面板10缺陷的非接触式的检测技术,是使用一个传感头(sensor head)11作为一馈电电极,并利用交流电施加约500V(视产品及用户设定)的电压至一线路12,而传感头11与线路12之间保持有一段150μm~100μm的距离DP,即利用此空间的空气当作介质,然后利用电容原理产生微小的感应电流,并在感应它的微小电流之后,经过一非接触式的接收电极13及一放大器14放大信号,即可输出相对应的电压。当检测出线路15有出现如图2所示的信号变化SC时,即得以检测出线路15中具有此断线(Open)或短路(Short)的缺陷(Defect)的位置20。
请参阅图3,显示出另一种对一TFT面板30缺陷的接触式检测技术,是使用位于探针台(Prober)上的一个探针(Probe)31作为一馈电电极,并利用直流电(DC)施加约20V(视产品及用户设定)的电压至一线路32,而此探针31与线路32是直接接触以感应线路的电压或电流,经过另一探针33作为一接收电极及一放大器34放大信号。当检测出线路32有出现如图4所示的信号变化SC时,即得以检测出线路35是具有此断线(Open)或短路(Short)的缺陷(Defect)位置40,此是一种最正常的作法。
请参阅图5,显示出另一种对一TFT面板50缺陷的接触式检测技术,是使用一个探针51作为一馈电电极,并利用交流电施加电压至一线路52,探针51与线路52是直接接触的,但是在接收电极的部分则改为一非接触式的接收电极53及一放大器54放大信号。
然而以上三种检测方式仍有其无法克服的缺点,包括:外围线路的断线及短路缺陷、驱动IC线路缺陷(GOA)、像素区线路断线及短路缺陷与如图6所示的线路61、62的一微断线63的缺陷等四种,其中微断线63可能是一些颗粒(Particle)等杂质而造成的,其原本是属于图案(Pattern)的一部份,经清洗机清洗而剥离掉落,当施加一驱动电压V至线路61、62时(虚线DR表示电流方向),由于电流在尚未中断但已缺掉一大片而仅剩下一丝丝的微断线63处仍然是流得过去,因此在正常方式下是检测不出来的,但是微断线63处在后续工艺或是在制成产品后经用户长期使用后将可能因为太强的高压驱动它而随即崩溃或断掉。
上述的四种缺陷在Array段并不易检测出,通常会在Cell段的点灯站点才发现缺陷,而在Cell段点灯站虽可检出缺陷,但修补的良率却是偏低的。况且断线的缺陷于面板修补站(Cell Repair)是无法进行修补,因为断线的缺陷需于Array段中的激光化学气相沉积(Laser CVD)段才可进行修补,至于短路的缺陷虽可在Cell Repair进行修补,但相对于Array段,在此Cell Repair修补的成功率是偏低的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造