[发明专利]薄膜晶体管面板缺陷的检测方法及检测设备在审
申请号: | 201710367799.1 | 申请日: | 2017-05-23 |
公开(公告)号: | CN108538739A | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 庄文忠 | 申请(专利权)人: | 兴城科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N25/72 |
代理公司: | 上海音科专利商标代理有限公司 31267 | 代理人: | 刘香兰 |
地址: | 中国台湾桃园市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 异常影像 影像数据 检测设备 检测 薄膜晶体管面板 薄膜晶体管 相对应位置 后续工艺 施加电压 位置标示 用户设定 热像仪 比对 扫描 | ||
1.一种薄膜晶体管面板缺陷的检测方法,其特征在于,包括:
施加电压至所述面板的线路,其中所述线路包含多个位置;
利用热像仪扫描所述多个位置,以获得所述多个位置的多笔温度影像数据;以及
将所述多笔温度影像数据与正常温度影像数据进行比对以检测出异常影像数据,当判断出所述异常影像数据所代表的相对应位置的温度高于用户设定值时,便将与各所述异常影像相对应的所有所述位置标示为存有缺陷的位置,以利于进行后续工艺。
2.根据权利要求1的检测方法,其特征在于,
还包括利用探针接触所述线路,进而施加所述电压。
3.根据权利要求1的检测方法,其特征在于,
所述存有缺陷的位置具有坐标,所述坐标用于所述后续工艺的定位及拟定修补路径。
4.根据权利要求3的检测方法,其特征在于,
还包括按照所述修补路径对所述存有缺陷的位置进行激光修补。
5.根据权利要求1的检测方法,其特征在于,
所述线路为外围线路、驱动IC线路或像素区线路,且所述存有缺陷的位置具有断线缺陷、短路缺陷或微断线缺陷。
6.根据权利要求5的检测方法,其特征在于,
所述正常温度影像数据对应于所述用户设定值,
所述驱动IC线路采用阵列基板栅极驱动技术制作而成。
7.一种印刷电路板缺陷的检测方法,其特征在于,包括:
施加电压至所述电路板的线路,其中所述线路包含多个位置;
利用热像仪扫描所述线路的多个位置,以获得各所述多个位置的相对应多笔温度影像数据;以及
将各所述相对应多笔温度影像数据与正常温度影像数据进行比对以检测出异常影像数据,当所述异常影像数据所代表的特定所述位置的温度高于用户设定值时,便将与所述异常影像相对应的所述位置标示为缺陷位置,以利于进行后续工艺。
8.一种半导体的缺陷检测方法,其中所述半导体具有线路,且所述线路包含多个位置,所述方法的特征在于,包括:
使所述线路通电;
逐一测量各所述位置的温度,以获得所述多个位置的多笔温度影像数据;以及
将各所述多笔温度影像数据与参考温度影像数据进行比对以检测出异常影像,当各所述异常影像的温度数据与所述参考温度的差大于用户设定值时,便判断为各所述异常影像的温度数据所对应的各所述位置为缺陷位置,以利于进行后续工艺。
9.根据权利要求8的检测方法,其特征在于,
还包括利用热像仪扫描以测量各所述位置的温度,其中所述参考温度影像数据为正常温度影像数据。
10.一种检测半导体是否存有缺陷的设备,其中所述半导体具有线路,且所述线路包含多个位置,所述设备的特征在于,包括:
通电组件,用于使所述线路通电;
测量组件,用于逐一测量各所述位置的温度,以获得各所述位置的温度数据;以及
比对组件,用于将各所述温度数据与参考温度影像数据进行比对以检测出异常影像,当各所述异常影像的温度数据与所述参考温度的差大于用户设定值时,便判断为各所述温度数据所对应的各所述位置为缺陷位置,以利于进行后续工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兴城科技股份有限公司,未经兴城科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710367799.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造