[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种阵列基板、一种显示面板以及一种阵列基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(back light module)。液晶显示面板由彩膜(Color Filter，CF)基板、薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板、夹于彩膜基板与阵列基板之间的液晶(Liquid Crystal，LC)及密封胶框(Sealant)组成。其中，阵列基板的薄膜晶体管性能直接影响到液晶显示面板的显示质量。

采用铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)半导体的薄膜晶体管由于其具有较高的迁移率，从而可以降低液晶显示面板的功耗和成本，同时分辨率可以达到全高清(full HD)乃至超高清(Ultra Definition，分辨率4k*2k)级别程度，因此受到了广泛的重视和应用。然而，由于铟镓锌氧化物半导体对大部分酸性刻蚀液都比较敏感，很容易在湿法刻蚀过程中被腐蚀，从而导致器件性能不佳。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种器件性能良好的阵列基板。

此外，还提供一种应用所述阵列基板的显示面板。

另外，还提供一种阵列基板的制作方法。

为了实现上述目的，本发明实施方式采用如下技术方案：

一方面，提供一种阵列基板，包括：

基板；

栅极，形成在所述基板上；

栅极绝缘层，形成在所述基板的朝向所述栅极的一侧，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；

有源层，形成在所述栅极绝缘层的远离所述栅极的一侧，所述有源层采用铟镓锌锡氧化物材料；

欧姆接触层，形成在所述有源层的远离所述栅极绝缘层的一侧，所述欧姆接触层采用被导体化的铟镓锌氧化物材料且覆盖所述有源层的两端；以及

彼此间隔的源极和漏极，形成在所述欧姆接触层的远离所述有源层的一侧，所述源极和所述漏极分别通过所述欧姆接触层电连接至所述有源层的两端。

其中，所述欧姆接触层包括间隔设置的第一欧姆接触块和第二欧姆接触块，所述第一欧姆接触块覆盖所述有源层的一端且连接所述源极，所述第二欧姆接触块覆盖所述有源层的另一端且连接所述漏极。

其中，所述有源层的厚度大于等于400埃且小于等于1000埃，所述欧姆接触层的厚度小于等于500埃。

其中，所述阵列基板还包括：

钝化层，覆盖所述源极、所述漏极以及所述有源层，所述钝化层具有通孔，所述通孔用以暴露出部分所述漏极；和

像素电极，形成在所述钝化层的远离所述源极的一侧，所述像素电极通过所述通孔连接至所述漏极。

另一方面，还提供一种显示面板，包括前述阵列基板。

再另一方面，还提供一种阵列基板的制作方法，包括：

在基板上形成栅极；

在所述基板的朝向所述栅极的一侧形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；

在所述栅极绝缘层的远离所述栅极的一侧依次沉积铟镓锌锡氧化物层和铟镓锌氧化物层；

通过导体化工艺处理所述铟镓锌氧化物层，以形成被导体化的铟镓锌氧化物层；

在所述被导体化的铟镓锌氧化物层的远离所述铟镓锌锡氧化物层的一侧沉积金属层；

通过光罩制程去除部分所述金属层、部分所述被导体化的铟镓锌氧化物层以及部分所述铟镓锌锡氧化物层，以形成有源层；

通过湿刻蚀工艺去除部分所述金属层和部分所述被导体化的铟镓锌氧化物层，以形成欧姆接触层以及彼此间隔的源极和漏极，所述欧姆接触层覆盖所述有源层的两端，所述源极和所述漏极分别通过所述欧姆接触层电连接至所述有源层的两端。

其中，所述导体化工艺为等离子体处理方式、离子注入处理方式、紫外光照射处理方式或微波处理方式。

其中，所述湿刻蚀工艺的过刻量大于20％。

其中，所述光罩制程采用半色调掩膜版。

其中，所述阵列基板的制作方法还包括：