[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

栅极，形成在所述基板上；

栅极绝缘层，形成在所述基板的朝向所述栅极的一侧，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；

有源层，形成在所述栅极绝缘层的远离所述栅极的一侧，所述有源层采用铟镓锌锡氧化物材料；

欧姆接触层，形成在所述有源层的远离所述栅极绝缘层的一侧，所述欧姆接触层采用被导体化的铟镓锌氧化物材料且覆盖所述有源层的两端；以及

彼此间隔的源极和漏极，形成在所述欧姆接触层的远离所述有源层的一侧，所述源极和所述漏极分别通过所述欧姆接触层电连接至所述有源层的两端。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述欧姆接触层包括间隔设置的第一欧姆接触块和第二欧姆接触块，所述第一欧姆接触块覆盖所述有源层的一端且连接所述源极，所述第二欧姆接触块覆盖所述有源层的另一端且连接所述漏极。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的厚度大于等于400埃且小于等于1000埃，所述欧姆接触层的厚度小于等于500埃。

4.如权利要求1～3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

钝化层，覆盖所述源极、所述漏极以及所述有源层，所述钝化层具有通孔，所述通孔用以暴露出部分所述漏极；和

像素电极，形成在所述钝化层的远离所述源极的一侧，所述像素电极通过所述通孔连接至所述漏极。

5.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～4任一项所述的阵列基板。

6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成栅极；

在所述基板的朝向所述栅极的一侧形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；

在所述栅极绝缘层的远离所述栅极的一侧依次沉积铟镓锌锡氧化物层和铟镓锌氧化物层；

通过导体化工艺处理所述铟镓锌氧化物层，以形成被导体化的铟镓锌氧化物层；

在所述被导体化的铟镓锌氧化物层的远离所述铟镓锌锡氧化物层的一侧沉积金属层；

通过光罩制程去除部分所述金属层、部分所述被导体化的铟镓锌氧化物层以及部分所述铟镓锌锡氧化物层，以形成有源层；

通过湿刻蚀工艺去除部分所述金属层和部分所述被导体化的铟镓锌氧化物层，以形成欧姆接触层以及彼此间隔的源极和漏极，所述欧姆接触层覆盖所述有源层的两端，所述源极和所述漏极分别通过所述欧姆接触层电连接至所述有源层的两端。

7.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述导体化工艺为等离子体处理方式、离子注入处理方式、紫外光照射处理方式或微波处理方式。

8.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述湿刻蚀工艺的过刻量大于20％。

9.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述光罩制程采用半色调掩膜版。

10.如权利要求6～9任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法还包括：

在所述源极的远离所述栅极绝缘层的一侧形成钝化层，所述钝化层同时覆盖所述源极、所述漏极以及所述有源层，所述钝化层具有通孔，所述通孔用以暴露出部分所述漏极；和

在形成在所述钝化层的远离所述源极的一侧形成像素电极，所述像素电极通过所述通孔连接至所述漏极。