[发明专利]一种地佐辛晶型及其制备方法

权利要求书

1.一种地佐辛晶型，使用Cu/K-α1测定其X射线粉末(XRD)衍射图，在2θ值为9.1±0.2和12.2±0.2处具有衍射峰，并且这些衍射峰的高度％均大于20。

2.根据权利要求书1所述的地佐辛晶型，其中，使用Cu/K-α1测定其X射线粉末衍射图，在2θ值为9.1±0.2、12.2±0.2、13.0±0.2、13.6±0.2、14.0±0.2、14.7±0.2、15.2±0.2、19.6±0.2、23.1±0.2、24.4±0.2、和27.2±0.2处具有衍射峰，并且这些衍射峰的高度％均大于20。

3.根据权利要求书1所述的地佐辛晶型，其中，使用Cu/K-α1测定其X射线粉末衍射图，衍射峰情况为：

4.根据权利要求书1所述的地佐辛晶型，其DSC检测在168.40℃附近有吸热峰。

5.根据权利要求书1所述的地佐辛晶型，其IR数据特征基本上如图3所示。

6.根据权利要求书1所述的地佐辛晶型，其TGA数据特征基本上如图4所示。

7.权利要求1-6中任一项所述的地佐辛晶型的制备方法，包括如下步骤：

1)加热下，将地佐辛溶解于一种对地佐辛易溶的溶剂A中，搅拌下，再加入另一种对地佐辛难溶的溶剂B；

2)经降温、保温方式析出晶体，过滤后收集晶体，干燥后制得。

8.根据权利要求书7所述的制备方法，其中，所述溶剂A选自二氧六环、乙酸乙酯，优选二氧六环。

9.根据权利要求书7所述的制备方法，其中，溶剂B选自乙腈、甲苯、石油醚、乙醚，优选石油醚。

10.根据权利要求书7所述的制备方法，其中，步骤1)中所述溶剂A的用量与地佐辛的用量比为：每克地佐辛溶解于1-30ml溶剂A中，优选2-10ml；溶剂A与溶剂B的体积比为1:0.5-1:10，优选1:1-1:2.5。

11.根据权利要求书7所述的制备方法，其中，步骤1)中加热溶解的温度为30-100℃，优选70-80℃。

12.根据权利要求书7所述的制备方法，其中，步骤2)中降温析晶温度为0-20℃，优选0-10℃。

13.根据权利要求书7所述的制备方法，其中，步骤2)中干燥为真空干燥，干燥温度为60-90℃，优选60-80℃。