[发明专利]有机EL显示装置及液晶显示装置在审
申请号: | 201710359424.0 | 申请日: | 2017-05-19 |
公开(公告)号: | CN107425016A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 渡部一史;石井良典 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/00;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 杨宏军,焦成美 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 显示装置 液晶 | ||
1.有机EL显示装置,其特征在于,有机EL显示装置中,在玻璃基板上形成有有机EL层,在所述玻璃基板之下,介由第一粘合材料贴附有支承基板,
在所述玻璃基板的所述支承基板侧,形成有凹部或凸部,且所述第一粘合材料进入到所述凹部或进入到所述凸部与凸部之间。
2.如权利要求1所述的有机EL显示装置,其特征在于,所述凹部周期性地形成,将所述玻璃基板的厚度设为t、将所述凹部的深度设为h1时,0.001≤h1/t≤0.1。
3.如权利要求1所述的有机EL显示装置,其特征在于,所述凸部周期性地形成,将所述玻璃基板的厚度设为t、将所述凸部的高度设为h2时,0.001≤h2/t≤0.1。
4.如权利要求1所述的有机EL显示装置,其特征在于,以覆盖所述有机EL层的方式配置有由玻璃形成的对置基板,在所述对置基板之上介由第二粘合材料贴附有偏振片,在所述对置基板的所述偏振片侧,形成有凹部或凸部。
5.如权利要求1所述的有机EL显示装置,其特征在于,所述凹部周期性地形成,将所述对置基板的厚度设为t、将所述凹部的深度设为h1时,0.001≤h1/t≤0.1。
6.如权利要求5所述的有机EL显示装置,其特征在于,所述凸部周期性地形成,将所述对置基板的厚度设为t、将所述凸部的高度设为h2时,0.001≤h2/t≤0.1。
7.有机EL显示装置,其特征在于,所述有机EL显示装置中,在玻璃基板之上形成有树脂基板,在所述树脂基板之上形成有有机EL层,在所述玻璃基板之下,介由第一粘合材料贴附有支承基板,
在所述玻璃基板的所述支承基板侧,形成有凹部或凸部,且所述第一粘合材料进入到所述凹部中。
8.如权利要求7所述的有机EL显示装置,其特征在于,所述凹部周期性地形成,将所述玻璃基板的厚度设为t、将所述凹部的深度设为h1时,0.001≤h1/t≤0.1。
9.如权利要求7所述的有机EL显示装置,其特征在于,所述凸部周期性地形成,将所述玻璃基板的厚度设为t、将所述凸部的高度设为h2时,0.001≤h2/t≤0.1。
10.如权利要求7所述的有机EL显示装置,其特征在于,以覆盖所述有机EL层的方式配置有由玻璃形成的对置基板,在所述对置基板之上介由第二粘合材料贴附有偏振片,在所述对置基板的所述偏振片侧形成有凹部或凸部。
11.如权利要求7所述的有机EL显示装置,其特征在于,所述凹部周期性地形成,将所述对置基板的厚度设为t、将所述凹部的深度设为h1时,0.001≤h1/t≤0.1。
12.如权利要求7所述的有机EL显示装置,其特征在于,所述凸部周期性地形成,将所述对置基板的厚度设为t、将所述凸部的高度设为h2时,0.001≤h2/t≤0.1。
13.如权利要求7至12中任一项所述的有机EL显示装置,其特征在于,所述树脂基板为聚酰亚胺基板。
14.如权利要求1至13中任一项所述的有机EL显示装置,其特征在于,所述有机EL显示装置弯曲,所述弯曲的中心处的所述凹部或所述凸部的密度大于其他区域的所述凹部或所述凸部的密度。
15.液晶显示装置,其特征在于,所述液晶显示装置中,液晶被夹持于由玻璃形成的第一基板和由玻璃形成的第二基板之间,且在所述第一基板之下介由第一粘合材料贴附有第一偏振片,在所述第二基板之上介由第二粘合材料贴附有第二偏振片,
在所述第一基板的所述第一偏振片侧、或者所述第二基板的所述第二偏振片侧,形成有凹部或凸部,
所述第一粘合材料或第二粘合材料进入到所述凹部或者进入到所述凸部与凸部之间。
16.如权利要求15所述的液晶显示装置,其特征在于,在所述第一基板的所述第一偏振片侧、及所述第二基板的所述第二偏振片侧,形成有凹部或凸部,
所述第一粘合材料或第二粘合材料进入到所述凹部或者进入到所述凸部与凸部之间。
17.如权利要求15所述的液晶显示装置,其特征在于,所述凹部周期性地形成,将所述玻璃基板的厚度设为t、将所述凹部的深度设为h1时,0.001≤h1/t≤0.1。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的