[发明专利]OLED器件制造方法、OLED器件及显示面板有效
| 申请号： | 201710358717.7 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107104129B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 王丹;李娜 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | oled 器件 制造 方法 显示 面板 | ||
1.一种OLED器件制造方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成第一电极层；
在所述第一电极层上形成像素界定层，所述像素界定层具有与各个子像素单元的发光区域一一对应的多个开口；
对所述像素界定层远离所述第一电极层的表面进行粗糙化处理；
形成覆盖所述像素界定层和所述开口的空穴注入层，其中，根据空穴注入层的厚度对所述像素界定层远离所述第一电极层的表面进行粗糙化处理，使所述像素界定层具有能够阻止所述空穴注入层的载流子的定向传输的表面粗糙度；以及
在所述空穴注入层对应于所述开口的区域依次形成空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及第二电极层。
2.根据权利要求1所述的OLED器件制造方法，其特征在于，对所述像素界定层远离所述第一电极层的表面进行粗糙化处理包括：
通过灰化处理、等离子体处理或者溅射薄层金属处理来对所述像素界定层远离所述第一电极层的表面进行粗糙化处理。
3.根据权利要求2所述的OLED器件制造方法，其特征在于，通过灰化处理对所述像素界定层进行表面处理包括：
通过光致刻蚀剂对与所述开口对应的所述第一电极进行保护；
通过灰化处理对所述像素界定层进行表面处理；以及
在所述灰化处理完成之后除去所述光致刻蚀剂。
4.根据权利要求1所述的OLED器件制造方法，其特征在于，所述第一电极层为氧化铟锡/银/氧化铟锡复合层。
5.一种OLED器件，其特征在于，包括：
衬底；
第一电极层，设置在所述衬底上；
像素界定层，设置在所述第一电极层上，所述像素界定层具有与各个子像素单元的发光区域一一对应的多个开口，并且所述像素界定层远离所述第一电极层的表面具有预定表面粗糙度；
空穴注入层，设置在所述像素界定层和所述开口上，其中，根据空穴注入层的厚度对所述像素界定层远离所述第一电极层的表面形成所述预定表面粗糙度，使所述像素界定层具有能够阻止所述空穴注入层的载流子的定向传输的表面粗糙度；以及
依次设置在所述空穴注入层上对应于所述开口的区域的空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及第二电极层。
6.根据权利要求5所述的OLED器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度的大小范围为50nm至100nm，以及所述像素界定层的所述预定表面粗糙度的大小范围为50nm至100nm。
7.根据权利要求5所述的OLED器件，其特征在于，所述第一电极层为氧化铟锡/银/氧化铟锡复合层。
8.一种显示面板，其特征在于，包括根据权利要求5至7中任一项所述的OLED器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
