[发明专利]一种近室温共沉积镁钕母合金的方法

权利要求书

1.一种近室温共沉积镁钕母合金的方法，其特征在于：所述方法为电解法，

所述电解法所用电解质由氯化钕、氯化镁、氯化锂和类离子液体组成，其中类离子液体占电解质总质量的95～97％，氯化钕和氯化镁占电解质总质量的2％～4％，氯化锂占电解质总质量的1％，其中，氯化钕和氯化镁的摩尔比为1:1，

其中，所述类离子液体由阳离子部和阴离子部组成，

所述阳离子部具有下述通式：[AlCl₂·nBase]⁺，

其中，Base为碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯或碳酸丁烯酯中的一种；n＝10；

所述阴离子部为AlCl₄^-；

所述“近室温”指温度为50～70℃。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述类离子液体按下述方法制得：室温下，将AlCl₃粉末加入碳酸酯类化合物中搅拌，即得，

其中，AlCl₃与碳酸酯类化合物的摩尔比为0.2:1，搅拌速度为500r/min，搅拌时间30min；所述碳酸酯类化合物为碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯或碳酸丁烯酯中的一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述电解过程中控制电解质体系温度为50～70℃，电解电压范围-1.8至-3V vs Al。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法包括至少一次补充加料的步骤：在电解过程中，向电解质中加入氯化钕和氯化镁或/和添加剂，

其中，所述氯化钕和氯化镁的总质量为初始电解质总质量的1％；所述添加剂为碳酸二甲酯、碳酸二乙酯、碳酸甲乙酯中的一种；所述添加剂的加入量为初始电解质总质量的0.5％；所述氯化钕和氯化镁摩尔比为1:1。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法包括下述工艺步骤：

(1)室温下，将AlCl₃粉末加入碳酸酯类化合物中搅拌，即得，其中，AlCl₃与碳酸酯类化合物的摩尔比为0.2:1，搅拌速度为500r/min，搅拌时间30min；所述碳酸酯类化合物为碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯或碳酸丁烯酯中的一种；

(2)向电解槽连续通入惰性气体排出其中的空气和水蒸气，然后将类离子液体加入到电解槽中，再加入氯化钕和氯化镁，在电解槽内搅拌混合形成电解质体系，控制电解质体系在50～70℃，电解电压范围-1.8至-3V；

(3)电解过程中，30min后向电解槽内补加氯化钕和氯化镁或/和添加剂，控制电解槽中氯化钕和氯化镁占电解质总质量的2～4％，

其中，所述氯化钕和氯化镁的总质量为初始电解质总质量的1％；所述添加剂为碳酸二甲酯、碳酸二乙酯、碳酸甲乙酯中的一种；所述添加剂的加入量为初始电解质总质量的0.5％；所述氯化钕和氯化镁摩尔比为1:1。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述电解所用阳极为纯度≥99.9％的高纯石墨棒或钨棒或钼棒材；阴极为纯度≥99.9％的高纯石墨板或纯铜板或铝板材。