[发明专利]一种白色太阳能电池的制备方法有效
| 申请号: | 201710351473.X | 申请日: | 2017-05-18 |
| 公开(公告)号: | CN106972081B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
| 发明(设计)人: | 许新湖;梁兴芳;卢发树;柯雨馨 | 申请(专利权)人: | 阳光中科(福建)能源股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
| 地址: | 362000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 电极印刷 硅片背面 硅片正面 蒸镀 制备 光电转换效率 表面复合 二次烘干 高温烧结 技术成本 接触电阻 一次烘干 烧结 高真空 磷玻璃 磷扩散 电极 硅片 背场 削边 制绒 去除 背面 电池 金属 印刷 生产 | ||
本发明公开了一种白色太阳能电池的制备方法,所述方法包括如下步骤:首先硅片正、背面制绒;再进行磷扩散,形成PN结;接着磷玻璃去除及削边;然后硅片正面蒸镀金属Mg;在硅片正面Ag电极印刷;再进行一次烘干及Mg氧化;在硅片背面Al背场印刷;再进行二次烘干及Mg氧化;在硅片背面Ag电极印刷;最后进行高温烧结及Mg氧化,形成MgO膜。本发明由高真空蒸镀的MgO膜作为減反膜代替传统PECVD方式生产的SiNX膜,表面复合减少,烧结后的Ag/Mg/Si电极有低的接触电阻,进而提升电池的光电转换效率,技术成本低,工艺简单可行,可大批量生产。
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体为一种白色太阳能电池的制备方法。
背景技术
晶体硅太阳能电池在光伏电池中的市场份额保持在90%左右,占据着整个光伏产业的主导,而硅片成本是电池成本的60%~70%,因此降低硅片制造成本是世界众多光伏研究机构和制造企业研究的热点。
目前市场上所有晶硅太阳电池皆为蓝色,即便有开发过红、橙、绿等色的彩色电池,但都在減反膜厚度上做变化产生,因此需要牺牲光电转换效率,无量产的经济性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种白色太阳能电池的制备方法,所述方法包括如下步骤:
硅片正、背面制绒;
对制绒后的硅片进行磷扩散,形成PN结;
对磷扩散处理后的硅片进行磷玻璃去除及削边;
在磷玻璃去除及削边后的硅片正面蒸镀金属Mg;
在蒸镀金属Mg后的硅片正面Ag电极印刷;
对正面Ag电极印刷后的硅片进行一次烘干及Mg氧化;
在烘干及Mg氧化后的硅片背面Al背场印刷;
对背面Al背场印刷后的硅片进行二次烘干及Mg氧化;
在二次烘干及Mg氧化后的硅片背面Ag电极印刷;
对背面Ag电极印刷后的硅片进行高温烧结及Mg氧化,形成MgO膜。
优选的,所述磷扩散采用的方阻值为100-120欧姆/sq。
优选的,所述硅片正面蒸镀金属Mg采用热蒸镀机高真空蒸镀,加热器加热Mg金属锭到升华温度为433℃,腔体的真空度必先达到10-4~10-5Pa的高真空,Mg金属锭用量根据Mg锭与硅片距离及所要蒸镀的Mg厚度设定,以保障Mg分子或原子到达被镀硅片的距离小于镀膜腔体内残余分子的平均自由程,保证Mg金属纯净牢固。
优选的,所述硅片正面蒸镀金属Mg,硅片为P型单晶或多晶6英寸硅片,比电阻1.5Ω·cm,蒸镀厚度为200mm。
优选的,所述一次烘干及Mg氧化和二次烘干及Mg氧化的烘干温度均为150℃,所述一次烘干及Mg氧化和二次烘干及Mg氧化后硅片的少子寿命均为13~15μs。
优选的,所述高温烧结及Mg氧化的温度为850-900℃,所述高温烧结及Mg氧化后硅片的少子寿命为30~35μs。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明由高真空蒸镀的MgO膜作为減反膜代替传统PECVD方式生产的SiN膜,表面复合减少,烧结后的Ag/Mg/Si电极有低的接触电阻,进而提升电池的光电转换效率,技术成本低,工艺简单可行,可大批量生产。
附图说明
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