[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底结构，所述衬底结构包括：

衬底；

在所述衬底上用于第一器件的第一鳍片；以及

在所述第一鳍片的一部分上的第一伪栅结构，所述第一伪栅结构包括在所述第一鳍片的一部分上的第一电介质层和在所述第一电介质层上的第一伪栅；

执行刻蚀工艺，以去除所述第一伪栅结构侧面的第一鳍片的一部分，从而形成第一凹陷和第二凹陷；

执行氧化工艺，以使得所述第一凹陷和所述第二凹陷下的第一鳍片的表面被氧化，从而形成第一氧化物层；

执行选择性去除工艺，以选择性去除所述第一氧化物层的一部分，保留所述第一氧化物层位于所述第一电介质层边缘下的部分；

执行外延工艺，以在所述第一凹陷和所述第二凹陷中外延生长半导体材料，从而形成第一源区和第一漏区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一伪栅结构还包括在所述第一伪栅上的第一硬掩模层以及位于所述第一伪栅和所述第一硬掩模层的侧壁上的第一间隔物层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化工艺还使得第一电介质层的边缘之间的部分下的第一鳍片的表面被氧化，从而形成与所述第一氧化物层邻接的第一氧化区；

在选择性去除工艺后，还保留所述第一氧化区。

4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述氧化工艺还使得第一电介质层的边缘上的第一伪栅被氧化，从而形成第二氧化区；

在选择性去除工艺后，还保留所述第二氧化区。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氧化工艺还使得第一电介质层的边缘之间的部分上的第一伪栅被氧化，从而形成与所述第二氧化区邻接的第三氧化区，所述第二氧化区的厚度大于所述第三氧化区的厚度；

在选择性去除工艺后，还保留所述第三氧化区。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用氟化氢选择性去除所述第一氧化物层的一部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化工艺包括快速热氧化工艺、炉管氧化工艺或现场水汽生成工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在执行外延工艺之后，沉积层间电介质层并进行平坦化，以露出所述第一伪栅；

去除所述第一伪栅，以形成用于第一器件的第一沟槽；

在所述第一沟槽的底部上形成第一高k电介质层；

在所述第一高k电介质层上形成第一栅极；

其中，所述第一电介质层、所述第一氧化物层位于所述第一电介质层边缘下的部分和所述第一高k电介质层作为用于第一栅极的第一栅极电介质层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底结构还包括在所述衬底上用于第二器件的第二鳍片和在所述第二鳍片的一部分上的第二伪栅结构，所述第二伪栅结构包括在所述第二鳍片的一部分上的第二电介质层和在所述第二电介质层上的第二伪栅；

所述刻蚀工艺还去除所述第二伪栅结构侧面的第二鳍片的一部分，以形成第三凹陷和第四凹陷；

所述氧化工艺还使得所述第三凹陷和所述第四凹陷下的第二鳍片的表面被氧化，从而形成第二氧化物层；

所述选择性去除工艺还选择性去除所述第二氧化物层的一部分，保留所述第二氧化物层位于所述第二电介质层边缘下的部分；

所述外延工艺还在所述第三凹陷和所述第四凹陷中外延生长半导体材料，从而形成第二源区和第二漏区。