[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，具体而言，本发明涉及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

随着科技的不断进步，LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)因为具有轻薄、无辐射、能耗小等优点，被应用在现代用户生活的多个方面，例如，电视屏幕、电脑屏幕、手机屏幕等，给用户的生活带来了方便。

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)是常用的一种液晶显示器，主要依靠薄膜晶体管(TFT)供电调节液晶分子的偏转方向，并利用彩色滤光片(ColorFilter)等，使液晶显示屏显示不同画面。薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板上分布有金属导线构成的信号线，例如，栅线，通常为了解决薄膜晶体管中电阻所造成的电阻/电容的延迟效应，会采用具有较低电阻率和较高抗电迁移能力的金属导线，例如，铜导线。

采用现有技术制备阵列基板中的铜导线(例如，栅线)时，铜在高温的条件下很容易与衬底中的硅发生化学反应，生成诸如硅化铜(CuSi₃)等产物，从而产生很高的接触电阻，而且，铜与衬底之间的附着性较差，容易从衬底上剥离；为了解决这两问题，现有技术会在衬底与铜导线之间沉积阻挡金属(例如，钼或钛等)，将铜与阻挡金属组合为复合金属导线。

上述阵列基板中的复合金属导线的制备方法为：首先，在衬底依次沉积阻挡金属和铜膜，其次，采用刻蚀液对阻挡金属和铜膜进行刻蚀处理，从而制备出复合金属导线。然而，本发明的发明人发现，通常同一种刻蚀液对不同金属的刻蚀速率不同，在实际应用中，通常选用主要针对铜的刻蚀液对复合金属进行刻蚀处理，这样，很容易导致对阻挡金属的刻蚀不彻底，使阻挡金属残留在衬底上，而残留的阻挡金属很容易导致相关电路出现意外短路或其它功能失常等问题，严重影响阵列基板的成品率；而且，通常阻挡金属的电阻比较大，这样，铜与阻挡金属形成的复合金属导线的综合面电阻要大于纯铜导线的面电阻，不能完全体现采用铜导线在低电阻率方面的优势，因此，现有技术制备的阵列基板中仍然会有严重的电阻/电容的延迟效应，降低了相关电路的响应速度，从而也降低了整个阵列基板的响应速度。

发明内容

本发明针对上述现有技术制备阵列基板中的金属导线的缺点，提出了一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置，用于解决上述现有技术中由于对阻挡金属的刻蚀不彻底，导致相关电路出现意外短路或其它功能失常的问题，以及解决现有技术中由于阻挡金属的电阻较高，导致复合金属导线的电阻较高所造成的延迟效应。

本发明的实施例根据第一个方面，提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

在衬底上沉积非金属层；

在非金属层上沉积第一金属层，并对第一金属层进行图形化处理，形成多条阵列排布的信号线。

优选地，在衬底上沉积非金属层之后，还包括：

对非金属层进行图形化处理，使非金属层的远离衬底的一侧形成凹槽。

优选地，在非金属层上沉积第一金属层，并对第一金属层进行图形化处理，形成多条阵列排布的信号线，具体包括：

在图形化后的非金属层上沉积第一金属层，使第一金属层覆盖并填充凹槽；

对第一金属层进行图形化处理，去除非金属层的远离衬底的一侧的除凹槽之外所覆盖的第一金属层，使嵌在凹槽处的第一金属层形成信号线。

优选地，对非金属层进行图形化处理，包括：

在非金属层上涂覆光刻胶，并对光刻胶进行预烘干处理；

预烘干处理后，通过预置掩模板对光刻胶进行曝光处理；

曝光处理后，对光刻胶进行显影处理，使光刻胶图形化，并通过后烘干处理固化图形化后的光刻胶；

将图形化后的光刻胶作为掩膜板，对非金属层进行刻蚀处理，使非金属层的远离衬底的一侧形成凹槽。

优选地，在对第一金属层进行图形化处理之后，还包括：

在信号线和非金属层上沉积绝缘层，并在绝缘层上沉积有源层，对有源层进行图形化处理；

在图形化后的有源层和绝缘层上沉积第二金属层，并对第二金属层进行图形化处理，形成源极和漏极。

优选地，非金属层的材料包括下述至少一项：

氮化硅、氧化硅、氧化钛、氧化铝；以及

第一金属层的材料为铜。

优选地，非金属层的厚度范围为100～400纳米。

本发明实施例根据第二个方面，还提供了一种阵列基板，包括：

衬底、非金属层、以及信号线，其中：