[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上沉积非金属层；

在所述非金属层上沉积第一金属层，并对第一金属层进行图形化处理，形成多条阵列排布的信号线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上沉积非金属层之后，还包括：

对所述非金属层进行图形化处理，使所述非金属层的远离所述衬底的一侧形成凹槽。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述非金属层上沉积第一金属层，并对第一金属层进行图形化处理，形成多条阵列排布的信号线，具体包括：

在图形化后的非金属层上沉积第一金属层，使第一金属层覆盖并填充所述凹槽；

对第一金属层进行图形化处理，去除所述非金属层的远离所述衬底的一侧的除所述凹槽之外所覆盖的第一金属层，使嵌在所述凹槽处的第一金属层形成所述信号线。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述非金属层进行图形化处理，包括：

在所述非金属层上涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行预烘干处理；

预烘干处理后，通过预置掩模板对所述光刻胶进行曝光处理；

曝光处理后，对所述光刻胶进行显影处理，使所述光刻胶图形化，并通过后烘干处理固化所述图形化后的光刻胶；

将所述图形化后的光刻胶作为掩膜板，对所述非金属层进行刻蚀处理，使所述非金属层的远离所述衬底的一侧形成凹槽。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对第一金属层进行图形化处理之后，还包括：

在所述信号线和非金属层上沉积绝缘层，并在所述绝缘层上沉积有源层，对所述有源层进行图形化处理；

在所述图形化后的有源层和绝缘层上沉积第二金属层，并对第二金属层进行图形化处理，形成源极和漏极。

6.根据权利要求1～5任一所述的方法，其特征在于，所述非金属层的材料包括下述至少一项：

氮化硅、氧化硅、氧化钛、氧化铝；以及

第一金属层的材料为铜。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述非金属层的厚度范围为100～400纳米。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底、非金属层、以及信号线，其中：

所述非金属层，覆盖于所述衬底上；

所述信号线，设置于所述非金属层的远离所述衬底的一侧。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述非金属层的远离所述衬底的一侧设置有凹槽，所述信号线嵌在所述凹槽处。

10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

绝缘层、有源层、源极和漏极，其中：

所述绝缘层，覆盖于所述信号线和所述非金属层上；

所述有源层，设置于所述绝缘层的远离所述信号线的一侧；

所述源极和漏极，设置于所述绝缘层和有源层的远离所述信号线或非金属层的一侧。

11.根据权利要求8～10任一所述的阵列基板，其特征在于，所述非金属层的材料包括下述至少一项：

氮化硅、氧化硅、氧化钛、氧化铝；以及

所述信号线的材料为铜。

12.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求8～11任一项所述的阵列基板。