[发明专利]元胞版图、元胞结构及碳化硅结势垒肖特基二极管的制作方法

权利要求书

1.一种元胞版图，包括元胞区（101）、围绕元胞区（101）的过渡区（103）、过渡区（103）外围的终端区（104）、以及位于元胞区（101）之间的肖特基接触区域（102）；其特征是：所述元胞区（101）包括第一元胞区和第二元胞区，第一元胞区包括若干圆形和/或多边形元胞区，第二元胞区设置在过渡区（103）的拐角处，第二元胞区包括多条与过渡区（103）拐角相平行的条形元胞区。

2.如权利要求1所述的元胞版图，其特征是：所述多边形元胞区采用方形元胞区或六角形元胞区。

3.一种元胞结构，包括设置于器件上的元胞区，在元胞区设置元胞，元胞之间为肖特基接触区域；其特征是：所述元胞包括第一元胞和第二元胞，第一元胞为若干圆形和/或多边形元胞，第二元胞设置在器件过渡区的拐角处，第二元胞为条形元胞、与器件过渡区的拐角平行设置。

4.如权利要求3所述的元胞结构，其特征是：所述多边形元胞采用方形元胞或六边形元胞。

5.如权利要求3所述的元胞结构，其特征是：所述第一元胞相互平行或垂直布满器件的元胞区。

6.如权利要求3所述的元胞结构，其特征是：所述器件为圆形器件或方形器件。

7.一种碳化硅结势垒肖特基二极管的制作方法，其特征是，包括以下步骤：

步骤S301：碳化硅衬底上生长外延层，外延层材制为碳化硅；

步骤S302：在外延层上沉积二氧化硅掩膜层；

步骤S303：采用元胞版图光刻后对该二氧化硅掩膜层进行刻蚀图形化，形成P注入区域图形；

步骤S304：对P注入区域进行高能离子注入，以形成元胞区、过渡区和终端区。

8.如权利要求7所述的碳化硅结势垒肖特基二极管的制作方法，其特征是：还包括后续工艺：去除二氧化硅掩膜层后进行高温激活退火；背面溅射欧姆合金并退火形成欧姆接触；正面溅射肖特基金属并退火形成肖特基接触，该正面金属与P型掺杂区形成欧姆接触，与非P型掺杂区形成肖特基接触；正面和背面进行金属加厚；正面形成钝化层以及在钝化层上开孔形成电极；背电极短接至衬底形成负电极。

9.如权利要求7所述的碳化硅结势垒肖特基二极管的制作方法，其特征是：所述二氧化硅掩膜层的厚度为1.8-2.3微米。

10.如权利要求7所述的碳化硅结势垒肖特基二极管的制作方法，其特征是：所述步骤S303中，刻蚀后的二氧化硅掩膜层的侧壁倾斜角度大于85°。