[发明专利]基于LED光源的光发送机

权利要求书

1.一种基于LED光源的光发送机，其特征在于，包括：

输入电路；

驱动电路，与所述输入电路电连接；

LED光源，与所述驱动电路电连接，且包括基于脊状LED的光发射二极管。

2.根据权利要求1所述的光发送机，其特征在于，所述输入电路包括：数字信号处理器和D/A转换器，所述数字信号处理器与所述D/A转换器电连接，所述D/A转换器与所述驱动电路电连接。

3.根据权利要求2所述的光发送机，其特征在于，所述数字信号处理器采用可编辑门阵列FPGA。

4.根据权利要求1所述的光发送机，其特征在于，还包括自动温度控制电路。

5.根据权利要求1所述的光发送机，其特征在于，所述基于脊状LED的光发射二极管包括：

承载架；

接脚；

芯片基座，位于所述承载架之上；

垫片，位于所述芯片基座之上；

LED芯片，位于所述垫片之上，且所述LED芯片包括脊状LED；

连接打线，用于连接所述LED芯片和所述接脚；

封胶，用于将所述承载架、所述芯片基座、所述LED芯片、所述接脚上端封装成型；

套筒，套设于所述硅胶之上。

6.根据权利要求5所述的光发送机，其特征在于，所述垫片表面镀有导电金属。

7.根据权利要求5所述的光发送机，其特征在于，所述脊状LED的发光波长为1550nm～1650nm。

8.根据权利要求5所述的光发送机，其特征在于，所述硅胶呈凸型结构，所述凸型结构顶面设有透镜。

9.根据权利要求5所述的光发送机，其特征在于，所述脊状LED包括：

SOI衬底层；

晶化Ge层，位于所述SOI衬底层之上；

脊状Ge-Sn合金层，位于所述晶化Ge层表面之上中间位置；

N型Ge-Sn合金层和所述·P型Ge-Sn合金层，位于所述晶化Ge层表面之上所述脊状Ge-Sn合金层两侧；

正电极，位于所述P型Ge-Sn合金层之上且与所述连接打线连接；

负电极，位于所述N型Ge-Sn合金层之上且与所述连接打线连接。

10.根据权利要求9所述的光发送机，其特征在于，所述脊状LED还包括钝化层，所述钝化层位于所述N型Ge-Sn合金层、所述脊状Ge-Sn合金层、所述P型Ge-Sn合金层之上。