[发明专利]半导体器件的形成方法

说明书

一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成抗反射涂层；在所述抗反射涂层上形成光刻胶图案；以所述光刻胶图案为掩模，利用包含COS和氢气的混合气体对所述抗反射涂层进行干法刻蚀，以形成图案化的抗反射涂层；以所述光刻胶图案和图案化的抗反射涂层为掩模，对所述基底进行刻蚀，以形成目标图案。本发明的方案提高了基底上目标图案的精度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。

背景技术

随着微电子技术的迅速发展，全球信息化、网络化呈现出日新月异的景象，微电子技术发展水平的高低直接决定着集成电路的集成程度。依据摩尔定律，每隔3年，集成电路的集成度约增加4倍，其最小特征尺寸则相应缩小30％。微电子工业如此惊人的发展速度，所依赖的核心技术为光刻技术。光刻技术是指利用光刻胶在光照作用下经过曝光、显影、刻蚀等工艺将掩膜版上的图案转移到基底上的微细图案加工技术。

随着光刻技术曝光波长的不断减小，在图案分辨率明显提高的同时，也带来了一些负面影响，尤其是在I线之后发展起来的深紫外光刻技术中。由于基底表面的光学反射效应，反射光线和入射光线相干涉，在光刻胶内部形成驻波效应和多重曝光，导致图案侧壁出现波浪似的锯齿状缺失，大大增加了控制刻蚀精确性的难度。为了克服以上问题，光刻工艺作出了改进，其在光刻胶下方形成了抗反射涂层(Anti-Reflective Coatings，简称ARC)，其能够有效缓解驻波效应，提高图案的精确性。

然而，随着集成电路的特征尺寸不断减小，光刻工艺所形成图案的精度逐渐不满足越发严格的质量要求。因此，如何提高光刻工艺所形成图案的精度成为本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：提高光刻工艺所形成图案的精度。

为了解决上述问题，本发明的一个实施例提供了一种半导体器件的形成方法，其包括：提供基底；在所述基底上形成抗反射涂层；在所述抗反射涂层上形成光刻胶图案；以所述光刻胶图案为掩模，利用包含COS和氢气的混合气体对所述抗反射涂层进行干法刻蚀，以形成图案化的抗反射涂层；以所述光刻胶图案和图案化的抗反射涂层为掩模，对所述基底进行刻蚀，以形成目标图案。

可选地，所述光刻胶图案为负性光刻胶图案。

可选地，所述目标图案为沟槽。

可选地，还包括：在形成光刻胶图案之后，进行所述干法刻蚀之前，对所述光刻胶图案进行处理，使得所述光刻胶图案中对应所述沟槽的窗口缩小。

可选地，所述处理的步骤包括：将所述基底暴露于用含氢气的气体所形成的等离子体环境中，以对所述光刻胶图案进行等离子体处理。

可选地，所述等离子体处理在-30℃至50℃的温度范围下进行。

可选地，还包括：在形成光刻胶图案之后，进行所述干法刻蚀之前，对所述光刻胶图案进行刻蚀，使得所述光刻胶图案中对应所述沟槽的窗口长度增大。

可选地，对所述光刻胶图案进行的所述刻蚀为带状离子束刻蚀。

可选地，对所述光刻胶图案进行的刻蚀步骤在所述处理的步骤之后进行。

可选地，所述干法刻蚀为脉冲式干法刻蚀。