[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201710345814.2 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108962726B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;纪世良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成抗反射涂层；
在所述抗反射涂层上形成光刻胶图案；
以所述光刻胶图案为掩模，利用包含COS和氢气的混合气体对所述抗反射涂层进行干法刻蚀，以形成图案化的抗反射涂层；
以所述光刻胶图案和图案化的抗反射涂层为掩模，对所述基底进行刻蚀，以形成目标图案；
其中，所述目标图案为沟槽；
其中，所述半导体器件的形成方法还包括：在形成光刻胶图案之后，进行所述干法刻蚀之前，对所述光刻胶图案进行处理，使得所述光刻胶图案中对应所述沟槽的窗口缩小；并且
其中，所述处理的步骤包括：将所述基底暴露于用含氢气的气体所形成的等离子体环境中，以对所述光刻胶图案进行等离子体处理，使所述光刻胶图案发生膨胀。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述光刻胶图案为负性光刻胶图案。
3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理在-30℃至50℃的温度范围下进行。
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成光刻胶图案之后，进行所述干法刻蚀之前，对所述光刻胶图案进行刻蚀，使得所述光刻胶图案中对应所述沟槽的窗口长度增大。
5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述光刻胶图案进行的所述刻蚀为带状离子束刻蚀。
6.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述光刻胶图案进行的刻蚀步骤在所述处理的步骤之后进行。
7.如权利要求1至6任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀为脉冲式干法刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
