[发明专利]具有像素结构的基板、含其的光电器件和打印方法有效
申请号: | 201710344849.4 | 申请日: | 2017-05-16 |
公开(公告)号: | CN107230697B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 彭军军 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310052 浙江省杭州市滨*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 像素 结构 光电 器件 打印 方法 | ||
1.一种具有像素结构的基板,所述像素结构包括一个或多个像素单元,每个所述像素单元包括一个或多个子像素,每个所述子像素包括像素隔离区域和发光区域,所述像素隔离区域对应的基板上设置有像素隔离结构,所述发光区域为所述像素隔离结构和所述基板围成的凹陷所在区域,其特征在于,
所述凹陷用于盛放喷墨打印装置喷出的液体材料,所述发光区域的所述凹陷底面的形状为第一平面图形S1,所述S1的大小由如下公式确定:S2的面积/S1的面积=1,且S2与S1具有交集,所述交集为S1,
其中,所述S2为所述喷墨打印装置在与测试基板距离特定高度下单次打印喷出的所述液体材料在所述测试基板的平坦表面上干燥后形成的第二平面图形,所述测试基板为未设置有像素结构的导电基板,所述特定高度为所述喷墨打印装置打印时喷嘴距离所述具有像素结构的基板的凹陷底面的高度。
2.根据权利要求1所述的具有像素结构的基板,其特征在于,每个所述像素单元包括多个子像素,多个所述发光区域对应的多个第一平面图形S1的形状选自圆形、椭圆形和正n边形中的一种或多种,其中,n为大于等于6的整数。
3.根据权利要求2所述的具有像素结构的基板,其特征在于,在所述发光区域为椭圆形的情况下,所述椭圆形的长轴的长度2a和短轴的长度2b满足如下公式:b≤a≤2b。
4.根据权利要求1所述的具有像素结构的基板,其特征在于,所述特定高度大于等于0.4mm,且小于等于1mm。
5.根据权利要求1所述的具有像素结构的基板,其特征在于,所述子像素中发光区域对应凹陷的容积为V1,所述单次喷射出的液体材料的体积为V2,则V2≤V1≤10V2。
6.根据权利要求5所述的具有像素结构的基板,其特征在于,1pL≤V2≤10pL。
7.根据权利要求1所述的具有像素结构的基板,其特征在于,所述像素隔离结构为像素界定层,所述像素界定层的高度大于等于1μm,且小于等于5μm。
8.根据权利要求1或2所述的具有像素结构的基板,其特征在于,所述像素单元中包括三个子像素,所述三个子像素分别用于发红光、绿光和蓝光中的任意一种或多种。
9.根据权利要求8所述的具有像素结构的基板,其特征在于,位于同一像素单元的所述三个子像素并列排布,各所述像素单元呈矩阵排布,相邻两个相同子像素间的距离为d,d=25.4mm/R,
其中,R为像素分辨率,单位是每英寸像素,x、y分别为横纵方向的像素单元的个数,L是所述矩阵所在矩形区域的斜边长,所述L的单位为英寸。
10.根据权利要求8所述的具有像素结构的基板,其特征在于,位于同一像素单元的三个子像素分别为第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述第一子像素和所述第二子像素并列排布于第一行,所述第三子像素与所述第一子像素和所述第二子像素错位排列于第二行,所述第三子像素与所述第一子像素和所述第二子像素的中间位置对齐设置。
11.根据权利要求10所述的具有像素结构的基板,其特征在于,所述第一子像素和第二子像素的发光区域对应的第一平面图形S1为圆形,所述第三子像素的发光区域对应的第一平面图形S1为椭圆形。
12.根据权利要求10所述的具有像素结构的基板,其特征在于,所述第一子像素和所述第二子像素用于发红光和绿光中的一种,所述第三子像素用于发蓝光。
13.一种光电器件,其特征在于,包括权利要求1至12中任一项所述的具有像素结构的基板。
14.一种打印方法,其特征在于,包括:
准备如权利要求1至12中任一项所述的具有像素结构的基板;
利用喷墨打印装置将液体材料打印于所述像素结构的凹陷中,所述液体材料干燥形成膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的