[发明专利]模拟输入/输出单元的版图设计方法有效

专利信息
申请号: 201710338586.6 申请日: 2017-05-12
公开(公告)号: CN108878415B 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 索超 申请(专利权)人: 展讯通信(上海)有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 代理人: 赵永刚
地址: 201203 上海市浦东新区浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 模拟 输入 输出 单元 版图 设计 方法
【说明书】:

发明提供一种模拟输入/输出单元的版图设计方法,包括:纵向排列P型二极管组、第一N型二极管组及第二N型二极管组,各二极管组中的二极管水平布局;在最顶层的金属层对信号线进行布线并打孔,连接各二极管组中二极管的一极;在最底层的金属层对模拟电源线、模拟地线及数字地线进行布线并打孔,分别连接对应二极管组中二极管的另一极。本发明能够降低模拟输入/输出单元中的信号线上的寄生电容,改善芯片性能。

技术领域

本发明涉及芯片设计技术领域,尤其涉及一种模拟输入/输出单元的版图设计方法。

背景技术

输入/输出单元是芯片中的重要组成部分,直接影响信号传输的质量。由于布局布线的原因,信号线上会产生寄生电容,主要包括两部分:信号线对芯片衬底产生的寄生电容以及信号线对电源线、地线产生的寄生电容。对于模拟输入/输出单元,既要防护信号的静电放电,又要把信号直接传入或传出芯片,特别是针对高频信号的传输,要求信号线上的寄生电容越小越好。

现有的模拟输入/输出单元的结构示意图如图1所示,包括:P型二极管组D1、第一N型二极管组D2及第二N型二极管组D3,其中,P型二极管组D1包括并联的多个P型二极管,所述多个P型二极管的正极与信号线AIO连接,负极与模拟电源线AVDD连接;所述第一N型二极管组D2包括并联的多个N型二极管,所述多个N型二极管的正极与模拟地线AVSS连接,负极与所述信号线AIO连接;所述第二N型二极管组D3包括并联的多个N型二极管,所述多个N型二极管的正极与数字地线VSS连接,负极与所述信号线AIO连接。

针对上述模拟输入/输出单元,图2是目前信号线的一种常用布线形式示意图,各二极管组中的二极管竖直布局并利用底层金属层进行信号线布线,图3是对应图2的一种电源线和地线的布线形式示意图。

在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术中至少存在如下技术问题:

现有的版图设计方法忽视了信号线上的寄生电容过大的问题,从而导致信号尤其是高频信号在经过模拟输入/输出单元时产生较大损耗,影响电路性能。

发明内容

本发明提供的模拟输入/输出单元的版图设计方法,能够降低模拟输入/输出单元信号线上的寄生电容。

本发明提供一种模拟输入/输出单元的版图设计方法,包括:

纵向排列P型二极管组、第一N型二极管组及第二N型二极管组,所述P型二极管组中的多个P型二极管水平布局且负极相互连接,所述第一N型二极管组中的多个N型二极管水平布局且正极相互连接,所述第二N型二极管组中的多个N型二极管水平布局且正极相互连接;

在最顶层的金属层对信号线进行布线,所述信号线分别与所述P型二极管组中的多个P型二极管的正极、所述第一N型二极管组中的多个N型二极管的负极以及所述第二N型二极管组中的多个N型二极管的负极存在交叠区域,在各交叠区域打孔;

在最底层的金属层对模拟电源线进行布线,所述模拟电源线与所述P型二极管组中的多个P型二极管的负极存在交叠区域,在所述交叠区域打孔;

在最底层的金属层对模拟地线进行布线,所述模拟地线与所述第一N型二极管组中的多个N型二极管的正极存在交叠区域,在所述交叠区域打孔;

在最底层的金属层对数字地线进行布线,所述数字地线与所述第二N型二极管组中的多个N型二极管的正极存在交叠区域,在所述交叠区域打孔。

可选地,所述在最顶层的金属层对信号线进行布线,所述信号线分别与所述P型二极管组中的多个P型二极管的正极、所述第一N型二极管组中的多个N型二极管的负极以及所述第二N型二极管组中的多个N型二极管的负极存在交叠区域包括:

在最顶层金属层与所述P型二极管组、第一N型二极管组及第二N型二极管组存在交叠的区域沿纵向布置一根信号线。

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