[发明专利]模拟输入/输出单元的版图设计方法有效
申请号: | 201710338586.6 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN108878415B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 索超 | 申请(专利权)人: | 展讯通信(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人: | 赵永刚 |
地址: | 201203 上海市浦东新区浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模拟 输入 输出 单元 版图 设计 方法 | ||
1.一种模拟输入/输出单元的版图设计方法,所述模拟输入/输出单元包括:P型二极管组、第一N型二极管组及第二N型二极管组,其中,所述P型二极管组包括并联的多个P型二极管,所述多个P型二极管的正极与信号线连接,负极与模拟电源线连接;所述第一N型二极管组包括并联的多个N型二极管,所述多个N型二极管的正极与模拟地线连接,负极与所述信号线连接;所述第二N型二极管组包括并联的多个N型二极管,所述多个N型二极管的正极与数字地线连接,负极与所述信号线连接,其特征在于,包括:
纵向排列所述P型二极管组、第一N型二极管组及第二N型二极管组,所述P型二极管组中的多个P型二极管沿纵向依次排列且每个P型二极管的长边方向为水平方向,所述P型二极管组中的多个P型二极管负极相互连接,所述第一N型二极管组中的多个N型二极管沿纵向依次排列且每个N型二极管的长边方向为水平方向,所述第一N型二极管组中的多个N型二极管正极相互连接,所述第二N型二极管组中的多个N型二极管沿纵向依次排列且每个N型二极管的长边方向为水平方向,所述第二N型二极管组中的多个N型二极管正极相互连接;
在最顶层的金属层对信号线进行布线,所述信号线分别与所述P型二极管组中的多个P型二极管的正极、所述第一N型二极管组中的多个N型二极管的负极以及所述第二N型二极管组中的多个N型二极管的负极存在交叠区域,在各交叠区域打孔;
在最底层的金属层对模拟电源线进行布线,所述模拟电源线与所述P型二极管组中的多个P型二极管的负极存在交叠区域,在所述交叠区域打孔;
在最底层的金属层对模拟地线进行布线,所述模拟地线与所述第一N型二极管组中的多个N型二极管的正极存在交叠区域,在所述交叠区域打孔;
在最底层的金属层对数字地线进行布线,所述数字地线与所述第二N型二极管组中的多个N型二极管的正极存在交叠区域,在所述交叠区域打孔。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在最顶层的金属层对信号线进行布线,所述信号线分别与所述P型二极管组中的多个P型二极管的正极、所述第一N型二极管组中的多个N型二极管的负极以及所述第二N型二极管组中的多个N型二极管的负极存在交叠区域包括:
在最顶层金属层与所述P型二极管组、第一N型二极管组及第二N型二极管组存在交叠的区域沿纵向布置一根信号线。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在最底层的金属层对模拟电源线进行布线,所述模拟电源线与所述P型二极管组中的多个P型二极管的负极存在交叠区域包括:
在最底层金属层沿着所述P型二极管组中的多个P型二极管的负极轮廓布置所述模拟电源线。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在最底层的金属层对模拟地线进行布线,所述模拟地线与所述第一N型二极管组中的多个N型二极管的正极存在交叠区域包括:
在最底层金属层沿着所述第一N型二极管组中的多个N型二极管的正极轮廓布置所述模拟地线。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在最底层的金属层对数字地线进行布线,所述数字地线与所述第二N型二极管组中的多个N型二极管的正极存在交叠区域包括:
在最底层金属层沿着所述第二N型二极管组中的多个N型二极管的正极轮廓布置所述数字地线。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:在次顶层的金属层对信号线进行布线,位于次顶层的信号线与最顶层的信号线形状一致。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:在最底层金属层之上的一层或多层金属层分别对模拟电源线、模拟地线及数字地线进行布线,位于各金属层的模拟电源线与最底层的模拟电源线形状一致,位于各金属层的模拟地线与最底层的模拟地线形状一致,位于各金属层的数字地线与最底层的数字地线形状一致。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,当所述模拟电源线、模拟地线及数字地线所在的最高层金属层与所述信号线所在的最低层金属层相邻时,位于最高层金属层的模拟电源线、模拟地线及数字地线不与所述信号线产生交叠区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的