[发明专利]像素界定层的制备方法、OLED及制备方法和显示装置有效
申请号: | 201710335741.9 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN107146807B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 侯文军;刘则 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 界定 制备 方法 oled 显示装置 | ||
本发明公开了像素界定层及其制备方法和OLED。该制备像素界定层的方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成第一界定图案,所述第一界定图案是通过喷墨打印第一材料形成的,所述第一界定图案由凹形容纳槽构成;在所述凹形容纳槽内形成第二界定图案,所述第二界定图案是通过喷墨打印第二材料形成的,其中,所述第一界定图案以及所述第二界定图案构成所述像素界定层。该方法无需采用双掩膜工艺就可以实现能够精确控制打印厚度的像素界定层的制备,由此,可以简化用于喷墨打印的像素界定层的制备工艺,降低制备成本,提高对位的精准性。
技术领域
本发明涉及电子领域,具体地,涉及像素界定层的制备方法、OLED及制备方法和显示装置。
背景技术
随着科学技术的发展,有机电致发光器件(OLED)得到了广泛的运用。OLED相对于LCD具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,被视为下一代显示技术。如今,OLED也朝着大规模、大尺寸的方向发展。
目前制备OLED发光层的方法,主要有真空蒸镀和溶液制程两种方法。其中,溶液制程方法与真空蒸镀法相比,具有设备成本低、材料利用率高、大尺寸产品掩膜(Mask)对位精度高等优点。常用的溶液制程法包括旋涂、喷墨打印以及喷嘴涂覆等方法。随着喷墨打印技术的发展,目前已经可以精确控制待打印材料(构成发光层的有机物)的打印位置。
然而,目前像素界定层及其制备方法和OLED,仍有待改进。
发明内容
本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的:
发明人发现,目前使用喷墨打印技术形成的OLED有机薄膜,普遍存在有机薄膜厚度不均一、形成喷墨打印所需像素界定层制备工艺复杂等问题。发明人经过深入研究以及大量实验发现,这主要是由于虽然在像素界定层的定位作用下,喷墨打印技术已经可以精确控制打印的位置,然而无法精确控制打印形成的薄膜的厚度。因此,造成形成的有机薄膜厚度不均一;虽然为了解决这一问题,出现了采用具有特定结构的像素界定层限定喷墨打印形成的薄膜厚度的方案,但这类像素界定层的制备需要复杂的处理工艺(例如需要利用双掩膜工艺以及二次曝光过程制备),进而导致像素界定层制备工艺复杂,造成喷墨打印的整体生产周期长、成本高。
本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。
在本发明的一个方面,本发明提出了一种制备像素界定层的方法,根据本发明的实施例,该方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成第一界定图案,所述第一界定图案是通过喷墨打印第一材料形成的,所述第一界定图案由凹形容纳槽构成;在所述凹形容纳槽内形成第二界定图案,所述第二界定图案是通过喷墨打印第二材料形成的,其中,所述第一界定图案以及所述第二界定图案构成所述像素界定层。像素界定层制备的方法具有以下优点的至少之一:无需采用双掩膜工艺就可以实现能够精确控制打印厚度的像素界定层的制备,由此,可以简化用于喷墨打印的像素界定层的制备工艺,降低制备成本,提高对位的精准性。
根据本发明的实施例,所述第一界定图案具有第一表面能,所述第二界定图案具有第二表面能,所述第一表面能高于所述第二表面能。由此,有利于精确控制利用该像素界定层形成的打印图案的厚度。
根据本发明的实施例,在形成所述第一界定图案之前,进一步包括:对所述衬底用于形成所述第一界定图案和所述第二界定图案的表面进行改性处理,以便减低所述衬底的表面能。由此,有利于控制第一界定图案的宽度。
根据本发明的实施例,形成所述第一界定图案是通过以下步骤实现的:通过喷墨打印所述第一材料,在所述衬底的预定区域形成第一界定图案层;对所述第一界定图案层进行干燥处理,使得所述第一界定图案层形成所述凹形容纳槽,以获得所述第一界定图案。由此,可以简便的利用咖啡环原理形成第一界定图案,而无需采用复杂的掩膜工艺。
根据本发明的实施例,所述第一材料包括:聚酰亚胺、以及亚克力的至少之一。由此,有利于在衬底上形成第一界定图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的