[发明专利]像素界定层的制备方法、OLED及制备方法和显示装置有效
申请号: | 201710335741.9 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN107146807B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 侯文军;刘则 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 界定 制备 方法 oled 显示装置 | ||
1.一种制备像素界定层的方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
在所述衬底上形成第一界定图案,所述第一界定图案是通过喷墨打印第一材料形成的,所述第一界定图案由凹形容纳槽构成;
在所述凹形容纳槽内形成第二界定图案,所述第二界定图案是通过喷墨打印第二材料形成的,
其中,所述第一界定图案以及所述第二界定图案构成所述像素界定层,
所述第二界定图案具有突出于所述凹形容纳槽的上表面。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一界定图案具有第一表面能,所述第二界定图案具有第二表面能,所述第一表面能高于所述第二表面能。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在形成所述第一界定图案之前,进一步包括:
对所述衬底用于形成所述第一界定图案和所述第二界定图案的表面进行改性处理,以便减低所述衬底的表面能。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述第一界定图案是通过以下步骤实现的:
通过喷墨打印所述第一材料,在所述衬底的预定区域形成第一界定图案层;
对所述第一界定图案层进行干燥处理,使得所述第一界定图案层形成所述凹形容纳槽,以获得所述第一界定图案,
其中,所述第一材料包括:聚酰亚胺以及亚克力的至少之一。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述喷墨打印第一材料包括:将所述第一材料溶于第一溶剂中配制成第一溶液并喷墨打印,
其中,所述第一材料在所述第一溶剂中的浓度为0.5wt%~30wt%;
所述第一溶剂的沸点不高于180摄氏度。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述干燥处理为真空减压干燥处理、常温干燥处理或低温干燥处理。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述真空减压干燥处理包括:对所述第一界定图案层进行真空减压干燥处理,在3-10分钟内,将进行所述真空减压干燥处理的腔室压强下降至150-250Pa,保持5-15分钟,对经过所述真空减压干燥处理的所述第一界定图案层,进行烘烤处理,所述烘烤处理的温度不低于200摄氏度;
所述常温干燥处理包括:将所述第一界定图案层在常温下放置25-50分钟;
所述低温干燥处理包括:将所述第一界定图案层在不高于20摄氏度条件下,放置40-60分钟。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述第二界定图案是通过以下步骤实现的:
将所述第二材料溶于第二溶剂中配制成第二溶液,在所述凹形容纳槽内喷墨打印含有所述第二材料的第二溶液,并进行烘烤处理。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述第二材料包括氟化聚酰亚胺、聚硅氧烷以及氟化甲基丙烯酸甲酯的至少之一,
所述烘烤处理的温度为:不低于200摄氏度,不高于250摄氏度。
10.一种OLED器件的制备方法,其特征在于,包括制备像素界定层的步骤,以及在像素界定层中形成有机层的步骤,其中,所述制备像素界定层的步骤采用如权利要求1-9任一项所述的制备方法。
11.一种OLED器件,其特征在于,包括:
衬底,形成在所述衬底上的像素界定层以及在像素界定层界定的像素区域中形成的发光层;
其中,所述像素界定层包括第一界定图案以及第二界定图案,所述第一界定图案由第一材料形成的凹形容纳槽构成,所述第二界定图案由第二材料形成在所述凹形容纳槽内,
所述第二界定图案为形成在所述凹形容纳槽中的凸起。
12.根据权利要求11所述的OLED器件,其特征在于,所述第一界定图案具有第一表面能,所述第二界定图案具有第二表面能,所述第一表面能高于所述第二表面能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的