[发明专利]一种OLED器件的薄膜封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710332632.1 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106960916A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 何超 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,方莉 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 oled 器件 薄膜 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种OLED器件的薄膜封装结构，包括：
位于OLED基板上的底层无机薄膜层和顶层无机薄膜层；
在所述底层无机薄膜层和顶层无机薄膜层之间，设有一个或多个有机缓冲层；
其中，至少一个有机缓冲层内掺有无机疏水颗粒。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述无机疏水颗粒包括氮化硅、氧化硅和氮化铝中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述无机疏水颗粒的粒径为0.1-0.5μm。
4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述掺有无机疏水颗粒的有机缓冲层中无机疏水颗粒的质量含量为15％-40％。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的结构，其特征在于，当存在多个有机缓冲层时，所述多个有机缓冲层之间通过无机薄膜层相互隔开。
6.权利要求1-5中任意一项所述薄膜封装结构的制备方法，包括：
步骤A：在OLED基板上制备无机薄膜层；
步骤B：在所述无机薄膜层上制备有机缓冲层；
步骤C：在所述有机缓冲层上制备无机薄膜层；
步骤D：任选地，重复步骤B和步骤C；
其中，至少一个有机缓冲层内掺有无机疏水颗粒。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述无机薄膜层通过化学气相沉积法或原子层沉积法制备。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述有机缓冲层通过溶液成膜法制备。
9.根据权利要求6所述的钻具，其特征在于，所述无机疏水颗粒包括氮化硅、氧化硅和氮化铝中的至少一种。
10.根据权利要求6或9所述的方法，其特征在于，所述无机疏水颗粒的粒径为0.1-0.5μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
