[发明专利]半导体装置、检测器件发热的方法及制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括邻接的基区和集电区；

在所述衬底上的多个鳍片，所述多个鳍片至少包括：在所述基区之上的隔离开的第一鳍片和第二鳍片；其中，所述第一鳍片包括与所述基区邻接的发射区；所述第二鳍片包括与所述基区邻接的第一区域；

在所述第二鳍片上的第一栅极结构；

分别在所述第一栅极结构两侧且至少部分的位于所述第一区域中的第一源极和第一漏极；以及

在所述第二鳍片上的第一伪栅极结构和至少部分的位于所述第一区域中的第一电极；其中，所述第一电极和所述第一栅极结构分别在所述第一伪栅极结构的两侧，所述第一伪栅极结构相比所述第一栅极结构更接近所述第一鳍片。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述集电区和所述发射区的导电类型分别与所述基区的导电类型相反；

所述第一区域的导电类型与所述基区的导电类型相同。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二鳍片、所述第一栅极结构、所述第一源极和所述第一漏极一起作为第一MOS器件；

其中，所述第一伪栅极结构被施加第一电位且所述衬底被施加第二电位以将所述第一MOS器件与所述基区电性隔离。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一区域的导电类型为N型，则所述第一电位大于或等于所述第二电位；或者，

所述第一区域的导电类型为P型，则所述第一电位小于或等于所述第二电位。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述多个鳍片还包括：在所述集电区之上的第三鳍片，其中，所述第三鳍片包括与所述集电区邻接的第二区域，所述第二区域的导电类型与所述集电区的导电类型相同；

所述半导体装置还包括：至少部分的在所述发射区中的第二电极，以及至少部分的在所述第二区域中的第三电极。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述多个鳍片还包括：在所述基区之上的与所述第一鳍片隔离开的第四鳍片，所述第四鳍片包括与所述基区邻接的第三区域，所述第三区域的导电类型与所述基区的导电类型相同；

所述半导体装置还包括：

在所述第四鳍片上的第二栅极结构，分别在所述第二栅极结构两侧且至少部分的位于所述第三区域中的第二源极和第二漏极；

在所述第四鳍片上的第二伪栅极结构和至少部分的位于所述第三区域中的第四电极；其中，所述第四电极和所述第二栅极结构分别在所述第二伪栅极结构的两侧，所述第二伪栅极结构相比所述第二栅极结构更接近所述第一鳍片。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述第四鳍片、所述第二栅极结构、所述第二源极和所述第二漏极一起作为第二MOS器件；

其中，所述第二伪栅极结构被施加第三电位且所述衬底被施加所述第二电位以将所述第二MOS器件与所述基区电性隔离。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述第三区域的导电类型为N型，则所述第三电位大于或等于所述第二电位；或者，

所述第三区域的导电类型为P型，则所述第三电位小于或等于所述第二电位。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一电位等于所述第三电位。

10.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

在所述衬底上且将所述第一鳍片和所述第二鳍片隔离开的第一沟槽隔离部；以及

在所述衬底上且将所述第一鳍片和所述第四鳍片隔离开的第二沟槽隔离部。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

在所述多个鳍片周围的第三沟槽隔离部，其中所述第三沟槽隔离部的深度范围为至