[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

目前的阵列基板中，通常采用过孔的方式，连接需要电性连接的两层膜层图形，例如，源漏金属层与有源层的连接，源漏金属层与像素电极层的连接等。受过孔的影响，过孔区域的液晶，与其他平坦位置的液晶相比，存在排列不规则的问题，这影响整个显示面板的发光一致性，为了避免过孔的影响，需要对过孔处的漏光进行遮挡。

现有技术中，是在对向基板的对应过孔的位置处设置黑矩阵，用于对阵列基板上的过孔处的漏光进行遮挡，基于阵列基板和对向基板对位精度的影响，为了保证能够全部遮挡住过孔，往往需要将黑矩阵的尺寸设置的稍大，这对显示面板的开口率造成影响，从而影响显示品质。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，在保证对阵列基板上的过孔进行遮挡的同时，尽可能提高开口率。

为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的设有过孔的绝缘层，还包括：第一遮挡图形，所述过孔在所述衬底基板上的正投影完全位于所述第一遮挡图形在所述衬底基板上的正投影内。

优选地，所述过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一遮挡图形在所述衬底基板上的正投影完全重叠。

优选地，所述的阵列基板还包括源漏金属层、第一透明电极层以及位于所述源漏金属层和第一透明电极层之间的第二绝缘层，所述设有过孔的绝缘层包括所述第二绝缘层。

优选地，所述阵列基板还包括源漏金属层、有源层以及位于所述源漏金属层和有源层之间的第一绝缘层，所述设有过孔的绝缘层包括所述第一绝缘层。

优选地，所述阵列基板还包括栅金属层、源漏金属层、有源层和第二遮挡图形，所述源漏金属层包括源电极和漏电极，所述栅金属层包括栅电极，所述有源层包括位于所述源电极和漏电极之间且与所述栅电极重叠的沟道区域，所述沟道区域在所述衬底基板上的正投影完全位于所述第二遮挡图形在所述衬底基板上的正投影区域内，所述第二遮挡图形位于所述有源层的靠近所述衬底基板的一侧。

优选地，所述沟道区域在所述衬底基板上的正投影与所述第二遮挡图形在所述衬底基板上的正投影完全重叠。

优选地，所述第一遮挡图形和第二遮挡图形同层同材料设置。

本发明还提供一种显示装置，包括上述阵列基板。

优选地，所述显示装置还包括对向基板，所述对向基板包括衬底基板和黑矩阵，所述对向基板的对应所述过孔的区域在所述对向基板的衬底基板上的正投影与所述黑矩阵在所述对向基板上的衬底基板上的正投影不重叠。

本发明还提供一种用于制作上述阵列基板的制作方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成第一遮挡图形和形成有过孔的绝缘层，所述过孔在所述衬底基板上的正投影完全位于所述第一遮挡图形在所述衬底基板上的正投影内。

优选地，所述在所述衬底基板上形成第一遮挡图形和形成有过孔的绝缘层的步骤包括：

在所述衬底基板上形成第一遮挡图形、源漏金属层、第二绝缘层和第一透明电极层，所述第二绝缘层上形成有过孔，所述第二绝缘层上的过孔在所述衬底基板上的正投影完全位于所述第一遮挡图形在所述衬底基板上的正投影内。

优选地，所述在所述衬底基板上形成第一遮挡图形和形成有过孔的绝缘层的步骤包括：

在所述衬底基板上形成第一遮挡图形、有源层、第一绝缘层和源漏金属层，所述第一绝缘层上形成有过孔，所述第一绝缘层上的过孔在所述衬底基板上的正投影完全位于所述第一遮挡图形在所述衬底基板上的正投影内。

优选地，所述在所述衬底基板上形成第一遮挡图形和形成有过孔的绝缘层的步骤包括：

在所述衬底基板上形成第二遮挡图形、有源层、栅金属层和源漏金属层，所述源漏金属层包括源电极和漏电极，所述栅金属层包括栅电极，所述有源层包括位于所述源电极和漏电极之间且与所述栅电极重叠的沟道区域，所述沟道区域在所述衬底基板上的正投影完全位于所述第二遮挡图形在所述衬底基板上的正投影区域内，所述第二遮挡图形位于所述有源层的靠近所述衬底基板的一侧。

优选地，通过一次构图工艺形成所述第一遮挡图形和第二遮挡图形。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

在阵列基板上设置遮挡图形，对绝缘层上的过孔进行遮挡，由于过孔与遮挡图形均设置在阵列基板上，因而具有较高的对位精度，从而不需要额外加大遮挡图形的尺寸，也能够保证将过孔全部遮挡，从而提高了开口率，进一步提高了显示品质。

附图说明