[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的设有过孔的绝缘层，其特征在于，还包括：第一遮挡图形，所述过孔在所述衬底基板上的正投影完全位于所述第一遮挡图形在所述衬底基板上的正投影内。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一遮挡图形在所述衬底基板上的正投影完全重叠。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括源漏金属层、第一透明电极层以及位于所述源漏金属层和第一透明电极层之间的第二绝缘层，所述设有过孔的绝缘层包括所述第二绝缘层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括源漏金属层、有源层以及位于所述源漏金属层和有源层之间的第一绝缘层，所述设有过孔的绝缘层包括所述第一绝缘层。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括栅金属层、源漏金属层、有源层和第二遮挡图形，所述源漏金属层包括源电极和漏电极，所述栅金属层包括栅电极，所述有源层包括位于所述源电极和漏电极之间且与所述栅电极重叠的沟道区域，所述沟道区域在所述衬底基板上的正投影完全位于所述第二遮挡图形在所述衬底基板上的正投影区域内，所述第二遮挡图形位于所述有源层的靠近所述衬底基板的一侧。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道区域在所述衬底基板上的正投影与所述第二遮挡图形在所述衬底基板上的正投影完全重叠。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮挡图形和第二遮挡图形同层同材料设置。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，还包括对向基板，所述对向基板包括衬底基板和黑矩阵，所述对向基板的对应所述过孔的区域在所述对向基板的衬底基板上的正投影与所述黑矩阵在所述对向基板上的衬底基板上的正投影不重叠。

10.一种用于制作如权利要求1-7任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成第一遮挡图形和形成有过孔的绝缘层，所述过孔在所述衬底基板上的正投影完全位于所述第一遮挡图形在所述衬底基板上的正投影内。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成第一遮挡图形和形成有过孔的绝缘层的步骤包括：

在所述衬底基板上形成第一遮挡图形、源漏金属层、第二绝缘层和第一透明电极层，所述第二绝缘层上形成有过孔，所述第二绝缘层上的过孔在所述衬底基板上的正投影完全位于所述第一遮挡图形在所述衬底基板上的正投影内。

12.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成第一遮挡图形和形成有过孔的绝缘层的步骤包括：

在所述衬底基板上形成第一遮挡图形、有源层、第一绝缘层和源漏金属层，所述第一绝缘层上形成有过孔，所述第一绝缘层上的过孔在所述衬底基板上的正投影完全位于所述第一遮挡图形在所述衬底基板上的正投影内。

13.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成第一遮挡图形和形成有过孔的绝缘层的步骤包括：

在所述衬底基板上形成第二遮挡图形、有源层、栅金属层和源漏金属层，所述源漏金属层包括源电极和漏电极，所述栅金属层包括栅电极，所述有源层包括位于所述源电极和漏电极之间且与所述栅电极重叠的沟道区域，所述沟道区域在所述衬底基板上的正投影完全位于所述第二遮挡图形在所述衬底基板上的正投影区域内，所述第二遮挡图形位于所述有源层的靠近所述衬底基板的一侧。

14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，通过一次构图工艺形成所述第一遮挡图形和第二遮挡图形。