[发明专利]显示面板制造方法、显示面板的制造设备和显示面板有效
申请号: | 201710330494.3 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN107046097B | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 冯翔;杨瑞智;刘莎;乔赟;孙晓;邱云;张强;杨照坤;王瑞勇;尤杨 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40;H01L27/28 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制造 方法 设备 | ||
本发明公开了一种显示面板制造方法、显示面板的制造设备和显示面板,属于显示技术领域。所述方法包括:通过微流控技术在衬底基板上形成多个半导体材料液滴;对所述多个半导体材料液滴进行固化处理,固化处理后的所述多个半导体材料液滴形成半导体层图案。本发明通过微流控技术在衬底基板上形成半导体层图案,无需使用光刻胶。解决了相关技术中由于光刻胶可能污染有机半导体材料,因而无法用传统的光刻工艺形成由有机半导体材料构成的半导体层图案的问题。达到了可以使用各种半导体材料来形成半导体层图案的效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板制造方法、显示面板的制造设备和显示面板。
背景技术
显示面板中通常包括有多个薄膜晶体管(英文:Thin Film Transistor;简称:TFT),根据显示面板种类的不同,这些TFT可以对显示面板进行不同的控制。TFT通常包括栅极、有源层和源漏极(源漏极包括源极和漏极)。
相关技术中在制造显示面板时,首先在衬底基板上形成栅导电图形和栅绝缘层,然后在形成有栅绝缘层的衬底基板上通过掩膜工艺形成有源层图案,之后在形成有有源层图案的衬底基板上形成其它结构。
在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:由于光刻胶可能污染有机半导体材料,因而无法用传统的光刻工艺形成由有机半导体材料构成的半导体层图案。
发明内容
为了解决现有技术中由于光刻胶可能污染有机半导体材料,因而无法用传统的光刻工艺形成由有机半导体材料构成的半导体层图案的问题,本发明实施例提供了一种显示面板制造方法、显示面板的制造设备和显示面板。所述技术方案如下:
根据本发明的第一方面,提供了一种显示面板制造方法,所述方法包括:
通过微流控技术在衬底基板上形成多个半导体材料液滴;
对所述多个半导体材料液滴进行固化处理,固化处理后的所述多个半导体材料液滴形成半导体层图案。
可选的,所述通过微流控技术在衬底基板上形成多个半导体材料液滴之前,所述方法还包括:
在所述衬底基板上依次形成栅导电图形和栅绝缘层,所述栅导电图形包括多条栅线,所述多条栅线中的每条栅线上均包括有多个栅极,所述半导体材料溶液池设置有多个通道,任一所述通道的一端与所述半导体材料溶液池的内部连通,另一端设置在所述多条栅线中的指定栅线上的一个栅极的流动区域,所述多条栅线中的任一栅极的流动区域为所述任一栅极在所述栅绝缘层上的正投影区域;
所述通过微流控技术在衬底基板上形成多个半导体材料液滴,包括:
以所述多条栅线中的栅极作为第一电润湿电极,控制所述半导体材料溶液池中的半导体材料溶液流向形成有所述栅绝缘层的衬底基板,并在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成所述多个半导体材料液滴。
可选的,所述多条栅线的栅极在所述衬底基板上成行列排布,
所述以所述多条栅线中的栅极作为第一电润湿电极,控制所述半导体材料溶液池中的半导体材料溶液流向形成有所述栅绝缘层的衬底基板,并在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成所述多个半导体材料液滴,包括:
向所述指定栅线施加电压,使所述半导体材料溶液池中的半导体材料溶液流向所述指定栅线中栅极的多个流动区域中,并在所述多个流动区域中形成半导体材料液滴组,所述多个流动区域中的流动区域与所述半导体材料液滴组中的半导体材料液滴一一对应;
以所述多条栅线中的栅极作为所述第一电润湿电极,控制所述半导体材料液滴组移动到目标栅线的栅极的多个流动区域,所述目标栅线为当前距离所述指定栅线最远且在栅极的流动区域中未设置有半导体材料液滴的栅线。
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