[发明专利]等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 201710325905.X 申请日: 2017-05-10
公开(公告)号: CN107527782B 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 金学泳;洪定杓;宣钟宇;成德镛;林龙浩;全允珖;郑和俊 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 弋桂芬
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 装置
【说明书】:

发明提供一种等离子体处理装置,该等离子体处理装置包括:腔室;窗口板,设置在腔室的上部分中并在其中限定有紧固孔;注入器,具有包括多个喷嘴并构造为被紧固到紧固孔的主体部、和从主体部径向地延伸以在主体部被紧固到紧固孔时部分地覆盖窗口板的底表面的凸缘部;和制动器,构造为在窗口板的上表面上被紧固到主体部以在主体部被紧固到紧固孔时将注入器保持在紧固孔中。

技术领域

本发明构思涉及等离子体处理装置。

背景技术

等离子体处理装置通常用于制造半导体器件、发光二极管(LED)、液晶显示器(LCD)等。其中,ICP型蚀刻装置包括在窗口板的中心的孔、RF功率传输路径和安装在该孔中以将工艺气体注入到腔室中的喷嘴。工艺气体在腔室内被激发为等离子态并且碰撞蚀刻靶(例如,晶片)以执行蚀刻工艺。

在这里,与窗口板的其它区域相比,窗口板的包括喷嘴的孔外围区在结构上是易损坏的,由此因等离子体损坏而导致微粒化。具体地,当窗口板在已经被化学清洗剂清洁之后或在窗口板已经被抛光之后再使用时,窗口板的孔外围区会暴露于等离子体而加速其退化,因而,孔外围区易受微粒化损坏。另外,根据清洗窗口板的次数,窗口板的使用寿命会受限。

一般地,工艺气体通过喷嘴在垂直方向上被注入,工艺气体的混合动力在腔室内的下部压力区中更小,其会导致工艺气体在晶片边缘区中的不均匀分布。因此,会导致诸如产品产量降低等的问题。

发明内容

本发明构思的一方面可以提供减小窗口板的结构易损性并实现工艺气体在腔室内的均匀分散的方法。

根据本发明构思的一方面,一种等离子体处理装置可以包括:腔室;窗口板,设置在腔室的上部分中并且在其中限定有紧固孔;注入器,具有包括多个喷嘴并构造为被紧固到紧固孔的主体部以及从主体部径向地延伸以在主体部被紧固到紧固孔时部分地覆盖窗口板的底表面的凸缘部;和制动器;构造为在窗口板的上表面上被紧固到主体部以在主体部被紧固到紧固孔时将注入器保持在紧固孔中。

根据本发明构思的一方面,一种等离子体处理装置可以包括:腔室;窗口板,设置在腔室的上部分中并具有紧固孔;和注入器,构造为设置在紧固孔中并包括第一主体和第二主体,该第一主体具有用于散布工艺气体的多个散布喷嘴,该第二主体具有第一主体构造为被紧固到其的容纳凹槽并具有在注入器设置在紧固孔中时用于注射工艺气体到腔室内部的多个注射喷嘴。

根据本发明构思的一方面,一种等离子体处理装置可以包括:腔室;窗口板,在腔室的上部分中;紧固孔,被限定在窗口板的中心部中;注入器;和凸缘。注入器可以包括:主体,构造为被紧固到紧固孔;多个第一注射喷嘴,限定在主体的侧表面中并构造为当主体被紧固到紧固孔时朝向远离侧表面的方向注入工艺气体;和多个第二注射喷嘴,被限定在主体的底表面中并构造为当主体被紧固到紧固孔时朝向远离所述底表面的方向向下注入工艺气体。凸缘可以朝向远离注入器的主体的方向径向延伸并可以构造为当主体被紧固到紧固孔时位于窗口板的底表面处以覆盖并保护紧固孔的外周边周围的区域。

附图说明

通过以下结合附图的详细说明,本发明构思的上述及其他方面、特征和其他优点将被更清楚地理解,附图中:

图1是示意地示出根据一示例实施方式的等离子体处理装置的剖视图;

图2是示意地示出图1的等离子体处理装置中的窗口板的剖面透视图;

图3A和3B是示意地示出图1的等离子体处理装置中的注入器的透视图;

图4是示意地示出图3A的注入器的剖视图;

图5A和5B是示意地示出其中注入器被制动器固定到窗口板的结构的透视图和剖视图;

图6是示意地示出根据一示例实施方式的注入器的透视图;

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