[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包括：

腔室；

窗口板，设置在所述腔室的上部分中并且具有紧固孔；和

注入器，构造为设置在所述紧固孔中，所述注入器包括第一主体和第二主体，该第一主体具有用于散布工艺气体的多个散布喷嘴，该第二主体具有所述第一主体构造为被紧固到的容纳凹槽并具有用于在所述注入器设置在所述紧固孔中时将所述工艺气体注入到所述腔室的内部的多个注射喷嘴。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中所述容纳凹槽包括设置在所述第二主体的中心部中的第一容纳凹槽和设置在所述第一容纳凹槽周围的第二容纳凹槽，以及

当所述注入器的所述第一主体被紧固到所述注入器的所述第二主体时，所述第一容纳凹槽的底表面位于比所述第二容纳凹槽的底表面低的垂直水平。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，当所述注入器的所述第一主体被紧固到所述注入器的所述第二主体时，所述多个注射喷嘴包括从所述第一容纳凹槽径向地延伸以连接到所述第二主体的外侧表面的第一注射喷嘴、和在向下方向上从所述第二容纳凹槽延伸以连接到所述第二主体的下表面的第二注射喷嘴。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其中基于从所述第一容纳凹槽的中心轴沿正交方向延伸的直线在所述第一注射喷嘴处与所述第一容纳凹槽的内侧表面相交的点，所述第一注射喷嘴的每个相对于所述直线成锐角。

5.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其中所述第二注射喷嘴的每个相对于平行于所述第一容纳凹槽的中心轴的垂直线成锐角，并且在相同方向上从所述第二容纳凹槽倾斜到所述第二主体的所述下表面。

6.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其中所述多个散布喷嘴包括设置在所述第一主体的中心部中并且连接到所述第一容纳凹槽内的至少一个第一散布喷嘴、和设置在所述至少一个第一散布喷嘴周围并连接到所述第二容纳凹槽内的多个第二散布喷嘴。

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，当所述注入器的所述第一主体被紧固到所述注入器的所述第二主体时，所述注入器具有被限定在所述第一主体和所述第二主体之间用于在所述第一主体和所述第二主体之间容纳所述工艺气体的空间。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中所述第二主体具有径向向外延伸以在所述注入器设置在所述紧固孔中时部分地覆盖所述窗口板的底表面的凸缘部。

9.一种等离子体处理装置，包括：

腔室；

窗口板，在所述腔室的上部分中；

紧固孔，被限定在所述窗口板的中心部中；

注入器，包括：

主体，构造为被紧固到所述紧固孔；

多个第一注射喷嘴，限定在所述主体的侧表面中并构造为当所述主体被紧固到所述紧固孔时朝向远离所述侧表面的方向注入工艺气体；和

多个第二注射喷嘴，限定在所述主体的底表面中并构造为当所述主体被紧固到所述紧固孔时朝向远离所述底表面的方向向下注入所述工艺气体；和

凸缘，朝向远离所述注入器的所述主体的方向径向延伸并构造为当所述主体被紧固到所述紧固孔时位于所述窗口板的底表面处以覆盖并保护所述紧固孔的外周边周围的区域，

其中所述主体包括第一主体和第二主体，该第二主体包括限定在所述第二主体的中心部中的第一容纳凹槽和与所述第一容纳凹槽间隔开并围绕所述第一容纳凹槽的环形的第二容纳凹槽，

其中所述第二主体的所述第一容纳凹槽和所述第二容纳凹槽被构造为在其中接收所述第一主体使得所述第一主体联接到所述第二主体，

其中所述第一主体包括第一散布喷嘴，该第一散布喷嘴在所述第一主体联接到所述第二主体时被接收在所述第一容纳凹槽中并与所述第二主体中的所述多个第一注射喷嘴流体连通，

其中所述第一主体包括第二散布喷嘴，该第二散布喷嘴在所述第一主体联接到所述第二主体时被接收在所述第二容纳凹槽中并与所述第二主体中的所述多个第二注射喷嘴流体连通。