[发明专利]一种用于检测集成电路老化效应的传感器

权利要求书

1.一种用于检测集成电路老化效应的传感器，其特征在于包括NBTI阈值提取电路、HCI阈值提取电路、第一减法电路、第二减法电路、第一电压转频率电路、第二电压转频率电路、第一缓冲器、第二缓冲器、第一计数器、第二计数器和脉冲产生电路，所述的第一计数器和所述的第二计数器分别具有清零端、输入端和输出端；所述的NBTI阈值提取电路的输入端、所述的HCI阈值提取电路的输入端和所述的脉冲产生电路的输入端连接其连接端为所述的传感器的输入端，所述的NBTI阈值提取电路的输出端和所述的第一减法电路的输入端连接，所述的第一减法电路的输出端和所述的第一电压转频率电路的输入端连接，所述的第一电压转频率电路的输出端和所述的第一缓冲器的输入端连接，所述的第一缓冲器的输出端和所述的第一计数器的输入端连接，所述的第一计数器的输出端为所述的传感器的第一输出端；所述的HCI阈值提取电路的输出端和所述的第二减法电路的输入端连接，所述的第二减法电路的输出端和所述的第二电压转频率电路的输入端连接，所述的第二电压转频率电路的输出端和所述的第二缓冲器的输入端连接，所述的第二缓冲器的输出端和所述的第二计数器的输入端连接，所述的第二计数器的输出端为所述的传感器的第二输出端；所述的脉冲产生电路的输出端分别与所述的第一计数器的清零端和所述的第二计数器的清零端连接。

2.根据权利要求1所述的一种用于检测集成电路老化效应的传感器，其特征在于所述的HCI阈值提取电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，所述的第一MOS管、所述的第二MOS管、所述的第三MOS管和所述的第四MOS管分别为NMOS管，所述的第五MOS管、所述的第六MOS管和所述的第七MOS管分别为PMOS管；所述的第一MOS管的源极和所述的第二MOS管的源极均接地，所述的第一MOS管的栅极、所述的第一MOS管的漏极、所述的第二MOS管的栅极和所述的第三MOS管的源极连接，所述的第二MOS管的漏极和所述的第四MOS管的源极连接且其连接端为所述的HCI阈值提取电路的输出端，所述的第三MOS管的栅极、所述的第三MOS管的漏极和所述的第五MOS管的漏极连接，所述的第四MOS管的栅极、所述的第四MOS管的漏极、所述的第五MOS管的栅极、所述的第六MOS管的栅极和所述的第六MOS管的漏极连接，所述的第五MOS管的源极、所述的第六MOS管的源极和所述的第七MOS管的漏极连接，所述的第七MOS管的源极接入电源，所述的第七MOS管的栅极为所述的HCI阈值提取电路的输入端。

3.根据权利要求1所述的一种用于检测集成电路老化效应的传感器，其特征在于所述的NBTI阈值提取电路包括第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管和第十六MOS管；所述的第八MOS管和所述的第九MOS管均为NMOS管，所述的第十MOS管、所述的第十一MOS管、所述的第十二MOS管、所述的第十三MOS管、所述的第十四MOS管、所述的第十五MOS管和所述的第十六MOS管均为PMOS管；所述的第八MOS管的源极、所述的第九MOS管的源极、所述的第十四MOS管的栅极和所述的第十四MOS管的漏极均接地，所述的第八MOS管的栅极、所述的第九MOS管的栅极、所述的第九MOS管的漏极、所述的第十一MOS管的栅极和所述的第十一MOS管的漏极连接，所述的第八MOS管的漏极、所述的第十MOS管的漏极和所述的第十MOS管的栅极连接，所述的第十MOS管的源极、所述的第十二MOS管的漏极、所述的第十二MOS管的栅极和所述的第十三MOS管的栅极连接，所述的第十一MOS管的源极、所述的第十三MOS管的漏极和所述的第十五MOS管的栅极连接，所述的第十二MOS管的源极、所述的第十三MOS管的源极、所述的第十五MOS管的源极和所述的第十六MOS管的漏极连接，所述的第十六MOS管的源极接入电源，所述的第十六MOS管的栅极为所述的NBTI阈值提取电路的输入端，所述的第十五MOS管的漏极和所述的第十四MOS管的源极连接且其连接端为所述的NBTI阈值提取电路的输出端。