[发明专利]一种电压稳定器电路

说明书

本发明涉及一种电压稳定器电路，包含：电阻R1、电阻R2、齐纳二极管D1、低压NMOS管N1、高压NMOS管N2、低压双极型NPN晶体管Q1；电阻R1，连接电源电压VDD及N2管的栅端；电阻R2连接GND端及N1管的栅端；齐纳二极管D1，阳极接N1管的栅端，阴极接N2管的栅端；N1管的源端接Q1管的基极，漏端接N2管的栅端，衬底端接地；Q1管的集电极接N2管的栅端，发射极接GND端；N2管的漏端接电源电压VDD，源端、衬底端接输出电压Vout。或者，本发明中以双极性NPN晶体管Q2来替换N1管，使Q2管的集电极接N2管的栅端，基极接二极管D1的阳极，发射极接Q1管的基极。本发明结构简单，可以改善输出电压的线性调节，使其随电源电压的变化更小，并可以有效改善输出电压的温度特性。

技术领域

本发明涉及模拟电源技术领域，特别涉及一种电压稳定器电路。

背景技术

如图1所示，传统的电压稳定器电路包含电阻R1、齐纳二级管D1、高压Nmos管N1；该结构产生的输出电压Vout＝Vz-V_GSN1，其中Vz为齐纳二极管D1的嵌位电压，为正温度特性；V_GSN1为N1管的栅源压降，为负温度特性，所以输出电压表现为正温度特性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电压稳定器电路，来改善其输出电压的线性调节，并改善输出电压的温度特性。

为了达到上述目的，本发明的一个技术方案是提供一种电压稳定器电路，其中包含：

电阻R1、电阻R2、齐纳二极管D1、低压NMOS管N1、高压NMOS管N2、低压双极型NPN晶体管Q1；

所述电阻R1，一端连接电源电压VDD，另一端连接到N2管的栅端；

所述电阻R2，一端连接GND端，另一端连接到N1管的栅端；

所述齐纳二极管D1，阳极接N1管的栅端，阴极接N2管的栅端；

N1管的源端接Q1管的基极，漏端接N2管的栅端，衬底端接地；

Q1管的集电极接N2管的栅端，发射极接GND端；

N2管的漏端接电源电压VDD，源端、衬底端接输出电压Vout。

优选地，当电源电压VDD为低压时，二极管D1、N1管、Q1管都没有开启，N2管的栅电压等于电源电压VDD，输出电压Vout＝VDD-V_GSN2；

当电源电压VDD为高压，二极管D1、N1管、Q1管都开启，N2管的栅端被嵌位，随着电源电压VDD升高，N2管的栅电压基本不变，输出电压Vout＝Vz+V_GSN1+V_BE1-V_GSN2；

其中，Vz为二极管D1的嵌位电压，V_GSN1为N1管的栅源压降，V_GSN2为N2管的栅源压降，V_BE1为Q1管的基极-发射极压降。

优选地，二极管D1的嵌位电压Vz为正温度特性；

N1管的栅源压降V_GSN1、N2管的栅源压降V_GSN2、Q1管的基极-发射极压降V_BE1均为负温度特性。

优选地，所述输出电压的温度系数为200ppm以下。

本发明的另一个技术方案是提供一种电压稳定器电路，其中包含：

电阻R1、电阻R2、齐纳二极管D1、高压NMOS管N2、低压双极型NPN晶体管Q1及Q2；

所述电阻R1，一端连接电源电压VDD，另一端连接到N2管的栅端；