[发明专利]一种电压稳定器电路

权利要求书

1.一种电压稳定器电路，其特征在于，包含：

电阻R1、电阻R2、齐纳二极管D1、低压NMOS管N1、高压NMOS管N2、低压双极型NPN晶体管Q1；

所述电阻R1，一端连接电源电压VDD，另一端连接到N2管的栅端；

所述电阻R2，一端连接GND端，另一端连接到N1管的栅端；

所述齐纳二极管D1，阳极接N1管的栅端，阴极接N2管的栅端；

N1管的源端接Q1管的基极，漏端接N2管的栅端，衬底端接地；

Q1管的集电极接N2管的栅端，发射极接GND端；

N2管的漏端接电源电压VDD，源端、衬底端接输出电压Vout。

2.如权利要求1所述的一种电压稳定器电路，其特征在于，

当电源电压VDD为低压时，二极管D1、N1管、Q1管都没有开启，N2管的栅电压等于电源电压VDD，输出电压Vout＝VDD-V_GSN2；

当电源电压VDD为高压，二极管D1、N1管、Q1管都开启，N2管的栅端被嵌位，随着电源电压VDD升高，N2管的栅电压基本不变，输出电压Vout＝Vz+V_GSN1+V_BE1-V_GSN2；

其中，Vz为二极管D1的嵌位电压，V_GSN1为N1管的栅源压降，V_GSN2为N2管的栅源压降，V_BE1为Q1管的基极-发射极压降。

3.如权利要求2所述的一种电压稳定器电路，其特征在于，

二极管D1的嵌位电压Vz为正温度特性；

N1管的栅源压降V_GSN1、N2管的栅源压降V_GSN2、Q1管的基极-发射极压降V_BE1均为负温度特性。

4.如权利要求1～3中任意一项所述的一种电压稳定器电路，其特征在于，

所述输出电压的温度系数为200ppm以下。

5.一种电压稳定器电路，其特征在于，包含：

电阻R1、电阻R2、齐纳二极管D1、高压NMOS管N2、低压双极型NPN晶体管Q1及Q2；

所述电阻R1，一端连接电源电压VDD，另一端连接到N2管的栅端；

所述电阻R2，一端连接GND端，另一端连接到Q2管的基极；

所述齐纳二极管D1，阳极接Q2管的基极，阴极接N2管的栅端；

Q1管的集电极接N2管的栅端，发射极接GND端；

Q2管的集电极接N2管的栅端，基极接齐纳二极管D1的阳极，发射极接Q1管的基极；

N2管的漏端接电源电压VDD，源端、衬底端接输出电压Vout。

6.如权利要求5所述的一种电压稳定器电路，其特征在于，

当电源电压VDD为低压时，二极管D1、Q1管、Q2管都没有开启，N2管的栅电压等于电源电压VDD，输出电压Vout＝VDD-V_GSN2；

当电源电压VDD为高压，二极管D1、Q1管、Q2管都开启，N2管的栅端被嵌位，随着电源电压VDD升高，N2管的栅电压基本不变，输出电压Vout＝Vz+V_BE2+V_BE1-V_GSN2；

其中，Vz为二极管D1的嵌位电压，V_GSN2为N2管的栅源压降，V_BE1、V_BE2分别为Q1管、Q2管的基极-发射极压降。

7.如权利要求5所述的一种电压稳定器电路，其特征在于，

二极管D1的嵌位电压Vz为正温度特性；

N2管的栅源压降V_GSN2、Q1管的基极-发射极压降V_BE1、Q2管的基极-发射极压降V_BE2均为负温度特性。

8.如权利要求5～7中任意一项所述的一种电压稳定器电路，其特征在于，

所述输出电压的温度系数为200ppm以下。