[发明专利]一种有机电致发光光源及其制作方法有效
申请号: | 201710318460.2 | 申请日: | 2017-05-08 |
公开(公告)号: | CN107093619B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 彭宽军;李小龙 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 光源 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种有机电致发光光源及其制作方法,用以实现有机电致发光光源的智能控制。有机电致发光光源包括衬底基板、位于衬底基板上的若干阵列排列的发光单元、至少一感光单元,以及与发光单元和感光单元连接的检测控制芯片;每一感光单元在衬底基板上的正投影区域与发光单元在衬底基板上的正投影区域不重叠;每一感光单元包括第一电极、第二电极,以及位于第一电极和第二电极之间的感光层;第一电极用于将接收的电压提供给感光层;感光层用于接收光的辐射强度,并在电压的作用下将光的辐射强度转换为电流强度;第二电极用于将电流强度输出给检测控制芯片;检测控制芯片用于根据电流强度的大小控制发光单元的发光。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机电致发光光源及其制作方法。
背景技术
有机电致发光光源(OLED Lighting)具有发光均匀,光线柔和,容易实现平板光源等优点而被广泛应用。如图1所示,现有技术的有机电致发光光源包括位于衬底基板(图中未示出)上的若干阵列排列的发光单元10,每一发光单元10包括金属层11和阳极12。
下面结合图2a到图2h具体说明现有技术有机电致发光光源的制作方法。
首先,如图2a和图2b所示,在衬底基板20上沉积一层金属膜层,之后对金属膜层进行曝光、显影和刻蚀,形成金属层11;接着,如图2c和图2d所示,在金属层11上沉积一层钝化膜层,之后对钝化膜层进行曝光、显影和刻蚀,形成钝化层21;接着,如图2e和2f所示,在钝化层21上沉积一层透明导电层,之后对透明导电层进行曝光、显影和刻蚀,形成阳极12;其中,图2e为图2f在AB方向上的截面图;接着,如图2g所示,在阳极12上沉积一层用于限制发光区域大小的膜层,并对该膜层进行曝光、显影和刻蚀,形成发光限定层22;接着,如图2h所示,在发光限定层22上采用连续蒸镀的方式依次形成发光层23和阴极24;最后进行封装工艺,完成有机电致发光光源的制作。
但目前现有技术制作得到的有机电致发光光源无法实现智能控制,用户使用体验较低。
发明内容
本发明实施例提供了一种有机电致发光光源及其制作方法,用以实现有机电致发光光源的智能控制。
本发明实施例提供的一种有机电致发光光源,包括衬底基板、位于所述衬底基板上的若干阵列排列的发光单元,其中,还包括位于所述衬底基板上的至少一感光单元,以及与所述发光单元和所述感光单元连接的检测控制芯片;
每一所述感光单元在所述衬底基板上的正投影区域与所述发光单元在所述衬底基板上的正投影区域不重叠;
每一所述感光单元包括第一电极、第二电极,以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的感光层;
所述第一电极用于将接收的电压提供给感光层;所述感光层用于接收光的辐射强度,并在所述电压的作用下将所述光的辐射强度转换为电流强度;所述第二电极用于将所述电流强度输出给所述检测控制芯片;
所述检测控制芯片用于根据所述电流强度的大小控制所述发光单元的发光。
由本发明实施例提供的有机电致发光光源,与现有技术的有机电致发光光源相比,本发明实施例提供的有机电致发光光源增加了感光单元的设置,由于感光单元能够将接收到的光的辐射强度转换为电流强度,并将电流强度输出给检测控制芯片;而检测控制芯片能够根据电流强度的大小控制发光单元的发光。因此,本发明实施例中的有机电致发光光源能够识别用户的手势动作,当用户的手势动作发生变化时,感光单元接收到的光的辐射强度就会发生变化,进而使得输出给检测控制芯片的电流强度发生变化,而检测控制芯片能够根据电流强度的大小控制发光单元的发光,这样实现了有机电致发光光源的智能控制,提高了用户的使用体验。
较佳地,所述第一电极的材料为金属材料。
较佳地,所述第一电极与所述发光单元包括的金属层同层设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的