[发明专利]一种有机电致发光光源及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201710318460.2 申请日: 2017-05-08
公开(公告)号: CN107093619B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 彭宽军;李小龙 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机 电致发光 光源 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光光源,包括衬底基板、位于所述衬底基板上的若干阵列排列的发光单元,其特征在于,还包括位于所述衬底基板上的至少一感光单元、金属膜层、钝化层以及与所述发光单元和所述感光单元连接的检测控制芯片;

每一所述感光单元在所述衬底基板上的正投影区域与所述发光单元在所述衬底基板上的正投影区域不重叠;所述感光单元在所述衬底基板上的正投影区域的面积与所述发光单元在所述衬底基板上的正投影区域的面积相同;

每一所述感光单元包括第一电极、第二电极,以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的感光层;所述第一电极设置多个孔;

所述第一电极用于将接收的电压提供给感光层;所述感光层用于接收光的辐射强度,并在所述电压的作用下将所述光的辐射强度转换为电流强度;所述第二电极用于将所述电流强度输出给所述检测控制芯片;

所述检测控制芯片用于根据所述电流强度的大小控制所述发光单元的发光;

其中,所述感光层为本征非晶硅层;或为从下到上依次设置的n型掺杂非晶硅层、本征非晶硅层和p型掺杂非晶硅层;或为从下到上依次设置的p型掺杂非晶硅层、本征非晶硅层和n型掺杂非晶硅层;

所述钝化层与所述第一电极接触,且所述钝化层设置有开口,以使所述第一电极与所述感光层接触实现电连接;所述开口与所述第一电极设置的多个孔在衬底基板上的正投影相邻排列。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光光源,其特征在于,所述第一电极的材料为金属材料。

3.根据权利要求2所述的有机电致发光光源,其特征在于,所述第一电极与所述发光单元包括的金属层同层设置。

4.根据权利要求1或3所述的有机电致发光光源,其特征在于,所述第二电极的材料为透明导电材料。

5.根据权利要求4所述的有机电致发光光源,其特征在于,所述第二电极与所述发光单元包括的阳极同层设置。

6.一种权利要求1-5任一项所述的有机电致发光光源的制作方法,其特征在于,所述方法包括:

通过构图工艺在衬底基板上制作若干阵列排列的发光单元和至少一感光单元;其中:每一所述感光单元在所述衬底基板上的正投影区域与所述发光单元在所述衬底基板上的正投影区域不重叠,每一所述感光单元包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的感光层;所述第一电极设置多个孔;

对完成上述步骤的衬底基板进行封装;

其中,所述通过构图工艺在衬底基板上制作若干阵列排列的发光单元和至少一感光单元,包括:

在衬底基板上沉积一层金属膜层,通过构图工艺形成金属层和第一电极;

通过构图工艺在所述金属层和所述第一电极上形成钝化层;所述钝化层设置有开口,以使所述第一电极和感光层接触实现电连接;所述开口与所述第一电极设置的多个孔在衬底基板上的正投影相邻排列;

在所述钝化层上沉积一层感光半导体层,通过构图工艺形成所述感光层;

通过构图工艺在所述感光层上形成阳极和第二电极;

通过构图工艺在所述阳极和所述第二电极上形成发光限定层;

通过构图工艺在所述发光限定层上依次形成发光层和阴极。

7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,通过构图工艺形成的所述第二电极包括第二电极块和第二电极连接线,所述第二电极块与所述感光层接触,所述第二电极块通过所述第二电极连接线与检测控制芯片电连接。

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